트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음237,978
IRLMS4502TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음8,442
IRLMS5703TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음4,950
IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음2,142
IRLMS6702TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음7,560
IRLMS6702TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음27,468
IRLMS6802TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1079pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음7,146
IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1079pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음27,108
IRLP3034PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 162nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10315pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 341W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AC 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음9,540
IRLR014 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음21,450
IRLR014NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 10A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,644
IRLR014NTR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 10A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,274
IRLR014NTRL Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 10A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,082
IRLR014NTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 10A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,838
IRLR014NTRR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 10A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,956
IRLR014PBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음20,088
IRLR014TR Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,238
IRLR014TRL Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,142
IRLR014TRLPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,600
IRLR014TRPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,352
IRLR014TRR Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,806
IRLR024 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,614
IRLR024NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,506
IRLR024NTRL Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,902
IRLR024NTRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,480
IRLR024NTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음29,418
IRLR024NTRR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,068
IRLR024NTRRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,100
IRLR024PBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음22,320
IRLR024TR Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,978

IRLMS2002TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음237,978

IRLMS4502TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음8,442

IRLMS5703TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음4,950

IRLMS5703TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음2,142

IRLMS6702TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음7,560

IRLMS6702TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음27,468

IRLMS6802TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1079pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음7,146

IRLMS6802TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1079pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음27,108

IRLP3034PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 162nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10315pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 341W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AC
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음9,540

IRLR014

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음21,450

IRLR014NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,644

IRLR014NTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,274

IRLR014NTRL

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,082

IRLR014NTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,838

IRLR014NTRR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,956

IRLR014PBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음20,088

IRLR014TR

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,238

IRLR014TRL

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,142

IRLR014TRLPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,600

IRLR014TRPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,352

IRLR014TRR

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,806

IRLR024

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,614

IRLR024NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,506

IRLR024NTRL

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,902

IRLR024NTRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,480

IRLR024NTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음29,418

IRLR024NTRR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,068

IRLR024NTRRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,100

IRLR024PBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음22,320

IRLR024TR

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,978

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