트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PH1090-350L M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 80V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.32dB 전력-최대: 350W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,982
PH1090-550S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 80V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.06dB 전력-최대: 550W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,688
PH1090-75L M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 70V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10.70dB ~ 10.81dB 전력-최대: 75W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음885
PH2729-130M M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 63V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 63V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.73dB ~ 8.85dB 전력-최대: 130W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 12.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,030
PH2729-25M M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.2dB 전력-최대: 70W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,140
PH2731-75L M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.16dB ~ 8.86dB 전력-최대: 75W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,896
PH3134-11S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 11W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.3A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,806
PH3134-30S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.5dB 전력-최대: 30W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.6A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,718
PH3134-55L M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.5dB 전력-최대: 55W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,328
PH3134-75S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.5dB 전력-최대: 75W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 8.9A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,380
PH3134-9L M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 9W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,834
PH3135-20M M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.5dB 전력-최대: 20W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,868
PH3135-5S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB 전력-최대: 5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 750mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,276
PH3135-65M M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.23dB ~ 9.09dB 전력-최대: 65W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 7.7A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,046
PN3563 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB ~ 26dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,848
PN3563 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V TO92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음66,492
PN3563_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB ~ 26dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,950
PN3563_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB ~ 26dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,034
PN3563_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB ~ 26dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,894
PN5179 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,754
PN5179_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,536
PN5179_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,094
PN5179_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,418
PN918 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,112
PN918_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,406
PRF947,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음7,416
PRF949,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 9GHZ SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음8,748
PRF957,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 270mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음3,544
PZ1418B30U,114 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ CDFM2 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.4dB 전력-최대: 45W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-443A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음6,696
RX1214B300Y,114 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 1.4GHZ CDFM2 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 570W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 21A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-439A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음6,336

PH1090-350L

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 80V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.32dB
전력-최대: 350W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,982

PH1090-550S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 80V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.06dB
전력-최대: 550W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,688

PH1090-75L

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 70V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10.70dB ~ 10.81dB
전력-최대: 75W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음885

PH2729-130M

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 63V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 63V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.73dB ~ 8.85dB
전력-최대: 130W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 12.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,030

PH2729-25M

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.2dB
전력-최대: 70W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,140

PH2731-75L

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.16dB ~ 8.86dB
전력-최대: 75W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,896

PH3134-11S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 11W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.3A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,806

PH3134-30S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.5dB
전력-최대: 30W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.6A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,718

PH3134-55L

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.5dB
전력-최대: 55W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,328

PH3134-75S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.5dB
전력-최대: 75W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 8.9A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,380

PH3134-9L

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 9W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,834

PH3135-20M

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.5dB
전력-최대: 20W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,868

PH3135-5S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB
전력-최대: 5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 750mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,276

PH3135-65M

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.23dB ~ 9.09dB
전력-최대: 65W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 7.7A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,046

PN3563

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB ~ 26dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,848

PN3563

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V TO92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음66,492

PN3563_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB ~ 26dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,950

PN3563_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB ~ 26dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,034

PN3563_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB ~ 26dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,894

PN5179

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,754

PN5179_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,536

PN5179_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,094

PN5179_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,418

PN918

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,112

PN918_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,406

PRF947,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음7,416

PRF949,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음8,748

PRF957,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 270mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음3,544

PZ1418B30U,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ CDFM2

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.4dB
전력-최대: 45W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-443A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음6,696

RX1214B300Y,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V 1.4GHZ CDFM2

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 570W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 21A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-439A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음6,336

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message