트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NESG2030M04-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.3V 주파수-전환: 60GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz 이득: 16dB 전력-최대: 80mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음3,690
NESG2030M04-T2-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.3V 주파수-전환: 60GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz 이득: 16dB 전력-최대: 80mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음3,132
NESG2046M33-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 18GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz 이득: 9.5dB ~ 11.5dB 전력-최대: 130mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (M33)	재고 있음8,532
NESG2046M33-T3-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 18GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz 이득: 9.5dB ~ 11.5dB 전력-최대: 130mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (M33)	재고 있음2,934
NESG2101M05-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 17GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: 11dB ~ 19dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M05	재고 있음2,844
NESG2107M33-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz 이득: 7dB ~ 10dB 전력-최대: 130mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (M33)	재고 있음8,406
NESG2107M33-T3-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz 이득: 7dB ~ 10dB 전력-최대: 130mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (M33)	재고 있음2,124
NESG250134-T1-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9.2V 10GHZ 3MIIMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9.2V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 23dB 전력-최대: 1.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: 3-PowerMiniMold	재고 있음5,814
NESG260234-T1-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9.2V 3POWERMINIMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9.2V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1.9W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: 3-PowerMiniMold	재고 있음2,502
NESG270034-T1-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9.2V 3POWERMINIMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9.2V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1.9W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 750mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: 3-PowerMiniMold	재고 있음2,304
NESG7030M04-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.3V 주파수-전환: 5.8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz 이득: 14dB ~ 21dB 전력-최대: 125mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음3,580
NSVF2250WT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음3,888
NSVF2250WT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음2,106
NSVF3007SG3T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MCPH	재고 있음3,798
NSVF4009SG4T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/ 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz 이득: 17dB 전력-최대: 120mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: SC-82FL/MCPH4	재고 있음3,672
NSVF4015SG4T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/ 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 17dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: SC-82FL/MCPH4	재고 있음24,432
NSVF4017SG4T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/ 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 17dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: SC-82FL/MCPH4	재고 있음5,832
NSVF4020SG4T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 16GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz 이득: 17.5dB 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: SC-82FL/MCPH4	재고 있음8,280
NSVF5488SKT3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF BIP NPN 70MA 10V FT=7G 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-623F 공급자 장치 패키지: SOT-623/SSFP	재고 있음7,650
NSVF5490SKT3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.5GHz 이득: 10dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-623F 공급자 장치 패키지: SOT-623/SSFP	재고 있음5,904
NSVF5501SKT3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz 이득: 11dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-623F 공급자 장치 패키지: SOT-623/SSFP	재고 있음6,462
NSVF6003SB6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 800mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-CPH	재고 있음8,388
NSVMMBTH10LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음24,720
ON5087,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANSPONDER SOT343F 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: SOT-343F	재고 있음29,622
ON5088,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 55GHZ 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 55GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 12GHz 이득: 13dB 전력-최대: 136mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음2,862
ON5089,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANSPONDER SOT343F 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: SOT-343F	재고 있음27,450
PBR941,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 360mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음117,636
PBR941B,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 9GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 360mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음2,142
PBR951,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 365mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음8,784
PH1090-175L M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 80V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.58dB 전력-최대: 188W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 10.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,146

NESG2030M04-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.3V
주파수-전환: 60GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
이득: 16dB
전력-최대: 80mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: M04

재고 있음3,690

NESG2030M04-T2-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.3V
주파수-전환: 60GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
이득: 16dB
전력-최대: 80mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: M04

재고 있음3,132

NESG2046M33-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 18GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz
이득: 9.5dB ~ 11.5dB
전력-최대: 130mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (M33)

재고 있음8,532

NESG2046M33-T3-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 18GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz
이득: 9.5dB ~ 11.5dB
전력-최대: 130mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (M33)

재고 있음2,934

NESG2101M05-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 17GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: 11dB ~ 19dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: M05

재고 있음2,844

NESG2107M33-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
이득: 7dB ~ 10dB
전력-최대: 130mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (M33)

재고 있음8,406

NESG2107M33-T3-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
이득: 7dB ~ 10dB
전력-최대: 130mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (M33)

재고 있음2,124

NESG250134-T1-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9.2V 10GHZ 3MIIMOLD

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9.2V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 23dB
전력-최대: 1.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: 3-PowerMiniMold

재고 있음5,814

NESG260234-T1-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9.2V 3POWERMINIMOLD

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9.2V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1.9W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: 3-PowerMiniMold

재고 있음2,502

NESG270034-T1-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9.2V 3POWERMINIMOLD

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9.2V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1.9W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 750mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: 3-PowerMiniMold

재고 있음2,304

NESG7030M04-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.3V
주파수-전환: 5.8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
이득: 14dB ~ 21dB
전력-최대: 125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: M04

재고 있음3,580

NSVF2250WT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음3,888

NSVF2250WT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음2,106

NSVF3007SG3T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MCPH

재고 있음3,798

NSVF4009SG4T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
이득: 17dB
전력-최대: 120mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: SC-82FL/MCPH4

재고 있음3,672

NSVF4015SG4T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 17dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: SC-82FL/MCPH4

재고 있음24,432

NSVF4017SG4T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 17dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: SC-82FL/MCPH4

재고 있음5,832

NSVF4020SG4T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 16GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
이득: 17.5dB
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: SC-82FL/MCPH4

재고 있음8,280

NSVF5488SKT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

BIP NPN 70MA 10V FT=7G

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-623F
공급자 장치 패키지: SOT-623/SSFP

재고 있음7,650

NSVF5490SKT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.5GHz
이득: 10dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-623F
공급자 장치 패키지: SOT-623/SSFP

재고 있음5,904

NSVF5501SKT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
이득: 11dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-623F
공급자 장치 패키지: SOT-623/SSFP

재고 있음6,462

NSVF6003SB6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 800mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-CPH

재고 있음8,388

NSVMMBTH10LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음24,720

ON5087,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANSPONDER SOT343F

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: SOT-343F

재고 있음29,622

ON5088,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 55GHZ 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 55GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 12GHz
이득: 13dB
전력-최대: 136mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음2,862

ON5089,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANSPONDER SOT343F

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: SOT-343F

재고 있음27,450

PBR941,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 360mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음117,636

PBR941B,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 360mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음2,142

PBR951,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 365mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음8,784

PH1090-175L

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 80V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.58dB
전력-최대: 188W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 10.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,146

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