트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
TAN500 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 1.215GHZ 55ST 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 2500W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55ST 공급자 장치 패키지: 55ST	재고 있음4,680
TAN75A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55AZ 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 8.5dB 전력-최대: 290W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 15mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 9A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AZ 공급자 장치 패키지: 55AZ	재고 있음7,542
TCS1200 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.03GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10.2dBd 전력-최대: 2095W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55TU-1 공급자 장치 패키지: 55TU-1	재고 있음4,374
TCS800 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SM 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.03GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 9dB 전력-최대: 1944W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 작동 온도: 230°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55SM 공급자 장치 패키지: 55SM	재고 있음5,490
TPR1000 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6dB 전력-최대: 2900W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55KV 공급자 장치 패키지: 55KV	재고 있음4,284
TPR1000A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 65V 1.09GHZ 55KV 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6dB 전력-최대: 2900W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 작동 온도: 200°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55KV 공급자 장치 패키지: 55KV	재고 있음5,274
TPR175 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 9dB 전력-최대: 290W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 9A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55CX 공급자 장치 패키지: 55CX	재고 있음5,292
TPR400 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.27dB 전력-최대: 875W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55CX 공급자 장치 패키지: 55CX	재고 있음8,532
TPR700 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.7dB 전력-최대: 2050W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55KT 공급자 장치 패키지: 55KT	재고 있음2,862
UMIL10 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 100MHz ~ 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 28W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: 55FT 공급자 장치 패키지: 55FT	재고 있음8,226
UMIL100A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 31V 400MHZ 55JU 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 31V 주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.2dB ~ 8.5dB 전력-최대: 270W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55JU 공급자 장치 패키지: 55JU	재고 있음6,678
UMIL25 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 33V 400MHZ 55HV 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 33V 주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.9db ~ 10dB 전력-최대: 70W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55HV 공급자 장치 패키지: 55HV	재고 있음7,344
UMIL3 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11.8db ~ 13dB 전력-최대: 11W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: 55FT 공급자 장치 패키지: 55FT	재고 있음4,590
UMIL3B Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 30V 400MHZ 55FT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13dB 전력-최대: 11W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 작동 온도: 150°C 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: 55FT 공급자 장치 패키지: 55FT	재고 있음4,608
UMIL80 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 31V 500MHZ 55HV 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 31V 주파수-전환: 200MHz ~ 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB ~ 9.5dB 전력-최대: 220W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55HV 공급자 장치 패키지: 55HV	재고 있음2,808
UPA800T-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz 이득: 7.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음6,444
UPA800T-T1 CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음2,502
UPA800T-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz 이득: 7.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음4,968
UPA801T-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 4.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음4,302
UPA801T-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 4.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음6,102
UPA802T-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음3,562
UPA802T-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음5,814
UPA806T-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 12GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: 8.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음6,948
UPA806T-T1 CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 12GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음4,842
UPA806T-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 12GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: 8.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음7,560
UPA810T-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 4.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음2,808
UPA810T-T1 CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 4.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz 이득: 7dB ~ 9dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음6,966
UPA810T-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 4.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음4,752
UPA811T-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz 이득: 7.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음3,384
UPA811T-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz 이득: 7.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음3,420

TAN500

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 1.215GHZ 55ST

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 2500W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55ST
공급자 장치 패키지: 55ST

재고 있음4,680

TAN75A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55AZ

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 8.5dB
전력-최대: 290W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 15mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 9A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AZ
공급자 장치 패키지: 55AZ

재고 있음7,542

TCS1200

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.03GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10.2dBd
전력-최대: 2095W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55TU-1
공급자 장치 패키지: 55TU-1

재고 있음4,374

TCS800

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SM

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.03GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 9dB
전력-최대: 1944W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
작동 온도: 230°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55SM
공급자 장치 패키지: 55SM

재고 있음5,490

TPR1000

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6dB
전력-최대: 2900W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55KV
공급자 장치 패키지: 55KV

재고 있음4,284

TPR1000A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 65V 1.09GHZ 55KV

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6dB
전력-최대: 2900W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
작동 온도: 200°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55KV
공급자 장치 패키지: 55KV

재고 있음5,274

TPR175

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 9dB
전력-최대: 290W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 9A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55CX
공급자 장치 패키지: 55CX

재고 있음5,292

TPR400

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.27dB
전력-최대: 875W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55CX
공급자 장치 패키지: 55CX

재고 있음8,532

TPR700

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.7dB
전력-최대: 2050W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55KT
공급자 장치 패키지: 55KT

재고 있음2,862

UMIL10

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 100MHz ~ 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 28W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: 55FT
공급자 장치 패키지: 55FT

재고 있음8,226

UMIL100A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 31V 400MHZ 55JU

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 31V
주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.2dB ~ 8.5dB
전력-최대: 270W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55JU
공급자 장치 패키지: 55JU

재고 있음6,678

UMIL25

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 33V 400MHZ 55HV

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 33V
주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.9db ~ 10dB
전력-최대: 70W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55HV
공급자 장치 패키지: 55HV

재고 있음7,344

UMIL3

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11.8db ~ 13dB
전력-최대: 11W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: 55FT
공급자 장치 패키지: 55FT

재고 있음4,590

UMIL3B

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 30V 400MHZ 55FT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13dB
전력-최대: 11W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
작동 온도: 150°C
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: 55FT
공급자 장치 패키지: 55FT

재고 있음4,608

UMIL80

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 31V 500MHZ 55HV

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 31V
주파수-전환: 200MHz ~ 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB ~ 9.5dB
전력-최대: 220W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55HV
공급자 장치 패키지: 55HV

재고 있음2,808

UPA800T-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
이득: 7.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음6,444

UPA800T-T1

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음2,502

UPA800T-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
이득: 7.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음4,968

UPA801T-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음4,302

UPA801T-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음6,102

UPA802T-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음3,562

UPA802T-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음5,814

UPA806T-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: 8.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음6,948

UPA806T-T1

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음4,842

UPA806T-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: 8.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음7,560

UPA810T-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음2,808

UPA810T-T1

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz
이득: 7dB ~ 9dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음6,966

UPA810T-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음4,752

UPA811T-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
이득: 7.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음3,384

UPA811T-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
이득: 7.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음3,420

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message