트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
UPA812T-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음3,006
UPA812T-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음6,516
UPA814T-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음6,354
UPA814T-T1 CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음5,976
UPA814T-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-SO	재고 있음3,526
UPA895TS-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz 이득: - 전력-최대: 130mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-Super Lead-Less MiniMold	재고 있음7,200
UPA895TS-T3-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz 이득: - 전력-최대: 130mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-Super Lead-Less MiniMold	재고 있음2,898
UTV005 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 24V 주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11dB 전력-최대: 8W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 750mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: 55FT 공급자 장치 패키지: 55FT	재고 있음3,472
UTV010 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 24V 주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11.5dB 전력-최대: 15W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: 55FT 공급자 장치 패키지: 55FT	재고 있음7,650
UTV020 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12dB 전력-최대: 17W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: 55FT 공급자 장치 패키지: 55FT	재고 있음6,372
UTV040 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: 55FT 공급자 장치 패키지: 55FT	재고 있음4,752
UTV080 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 28V 주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB ~ 10dB 전력-최대: 65W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Channel, DIN Rail Mount 패키지 / 케이스: 55JV 공급자 장치 패키지: 55JV	재고 있음4,788
UTV200 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 28V 주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB ~ 9.5dB 전력-최대: 80W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55JV 공급자 장치 패키지: 55JV	재고 있음8,748
UTV8100B Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB ~ 9.5dB 전력-최대: 290W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55RT 공급자 장치 패키지: 55RT	재고 있음4,608
ZTX325 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz 이득: 53dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,502
ZTX325STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz 이득: 53dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음5,022
ZTX325STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz 이득: 53dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음4,374
ZTX325STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz 이득: 53dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음5,472
ZUMT918TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음6,282
ZUMTS17HTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음7,344
ZUMTS17HTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음8,586
ZUMTS17NTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V 주파수-전환: 3.2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음2,322
1085-MMBT100A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,878
12A02CH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 1A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 450MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음28,182
12A02MH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 1A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 450MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MCPH	재고 있음52,188
15C01C-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 0.7A CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 330MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음3,598
15C01M-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 0.7A MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 330MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: 3-MCP	재고 있음82,776
15C01SS-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 0.6A SSFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 330MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-SSFP	재고 있음4,410
15C02CH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 1A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 440MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음58,410
15C02MH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 1A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 440MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MCPH	재고 있음2,916

UPA812T-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음3,006

UPA812T-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음6,516

UPA814T-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음6,354

UPA814T-T1

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음5,976

UPA814T-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-SO

재고 있음3,526

UPA895TS-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
이득: -
전력-최대: 130mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-Super Lead-Less MiniMold

재고 있음7,200

UPA895TS-T3-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
이득: -
전력-최대: 130mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-Super Lead-Less MiniMold

재고 있음2,898

UTV005

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 24V
주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11dB
전력-최대: 8W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 750mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: 55FT
공급자 장치 패키지: 55FT

재고 있음3,472

UTV010

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 24V
주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11.5dB
전력-최대: 15W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: 55FT
공급자 장치 패키지: 55FT

재고 있음7,650

UTV020

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12dB
전력-최대: 17W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: 55FT
공급자 장치 패키지: 55FT

재고 있음6,372

UTV040

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: 55FT
공급자 장치 패키지: 55FT

재고 있음4,752

UTV080

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 28V
주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB ~ 10dB
전력-최대: 65W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Channel, DIN Rail Mount
패키지 / 케이스: 55JV
공급자 장치 패키지: 55JV

재고 있음4,788

UTV200

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 28V
주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB ~ 9.5dB
전력-최대: 80W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55JV
공급자 장치 패키지: 55JV

재고 있음8,748

UTV8100B

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: 470MHz ~ 860MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB ~ 9.5dB
전력-최대: 290W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55RT
공급자 장치 패키지: 55RT

재고 있음4,608

ZTX325

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz
이득: 53dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,502

ZTX325STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz
이득: 53dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음5,022

ZTX325STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz
이득: 53dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음4,374

ZTX325STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz
이득: 53dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음5,472

ZUMT918TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음6,282

ZUMTS17HTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음7,344

ZUMTS17HTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음8,586

ZUMTS17NTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V
주파수-전환: 3.2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음2,322

1085-MMBT100A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,878

12A02CH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 1A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 450MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음28,182

12A02MH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 1A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 450MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MCPH

재고 있음52,188

15C01C-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 0.7A CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 330MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음3,598

15C01M-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 0.7A MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 330MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: 3-MCP

재고 있음82,776

15C01SS-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 0.6A SSFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 330MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-SSFP

재고 있음4,410

15C02CH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 1A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 440MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음58,410

15C02MH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 1A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 440MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MCPH

재고 있음2,916

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