트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
EMT51T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 20V 0.2A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 350MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음8,190
EMT52T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR. TWO 2 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음8,694
EMX18T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 12V 0.5A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 320MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음6,696
EMX1DXV6T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,052
EMX1DXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음5,886
EMX1DXV6T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음7,056
EMX1FHAT2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음8,514
EMX1T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음2,142
EMX26T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음67,158
EMX2DXV6T5 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음6,948
EMX2DXV6T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,466
EMX2T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음4,032
EMX3T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음8,874
EMX4T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 0.05A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 1.5GHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음167,640
EMX51T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 400MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음67,308
EMX52T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 350MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음3,330
EMX5T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 11V 0.05A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 3.2GHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음3,580
EMY1T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 공급자 장치 패키지: EMT5	재고 있음2,088
EMZ1DXV6T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음4,338
EMZ1DXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,244
EMZ1DXV6T5 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,520
EMZ1DXV6T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,736
EMZ1T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음129,000
EMZ2T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음7,092
EMZ51T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 400MHz, 350MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음6,768
EMZ52T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. 2SAR5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 350MHz, 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음7,290
EMZ7T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 320MHz, 260MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음8,946
EMZ8T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 180MHz, 260MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음7,146
E-ULN2001A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음4,878
E-ULN2004A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음7,326

EMT51T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 20V 0.2A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 350MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음8,190

EMT52T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR. TWO 2

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음8,694

EMX18T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 12V 0.5A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 320MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음6,696

EMX1DXV6T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,052

EMX1DXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음5,886

EMX1DXV6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음7,056

EMX1FHAT2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음8,514

EMX1T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음2,142

EMX26T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음67,158

EMX2DXV6T5

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음6,948

EMX2DXV6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,466

EMX2T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음4,032

EMX3T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음8,874

EMX4T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 0.05A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 1.5GHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음167,640

EMX51T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 400MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음67,308

EMX52T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 350MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음3,330

EMX5T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 11V 0.05A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 3.2GHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음3,580

EMY1T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
공급자 장치 패키지: EMT5

재고 있음2,088

EMZ1DXV6T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음4,338

EMZ1DXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,244

EMZ1DXV6T5

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,520

EMZ1DXV6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,736

EMZ1T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음129,000

EMZ2T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음7,092

EMZ51T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 400MHz, 350MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음6,768

EMZ52T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. 2SAR5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 350MHz, 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음7,290

EMZ7T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 320MHz, 260MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음8,946

EMZ8T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 180MHz, 260MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음7,146

E-ULN2001A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음4,878

E-ULN2004A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음7,326

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