트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
E-ULQ2003A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,586
E-ULQ2003D1 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음3,888
FFB2222A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 40V 0.5A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)	재고 있음5,022
FFB2227A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)	재고 있음56,454
FFB2907A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.6A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)	재고 있음4,860
FFB2907A_D87Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.6A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)	재고 있음2,250
FFB3904 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)	재고 있음3,186
FFB3906 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 40V 0.2A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)	재고 있음2,970
FFB3946 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)	재고 있음4,680
FFB5551 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)	재고 있음26,184
FMB200 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 45V 0.5A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음28,398
FMB2222A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 40V 0.5A 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음5,886
FMB2227A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 30V 0.5A 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음4,860
FMB2907A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.6A 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음45,780
FMB3904 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 40V 0.2A 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음1,462,698
FMB3906 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 40V 0.2A 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음634,356
FMB3946 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음5,940
FMB5551 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 160V 0.6A 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음4,050
FMBA06 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN 80V 0.5A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음25,128
FMBA14 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN DARL 30V 1.2A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 1.25MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음8,424
FMBM5551 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음68,280
FMBM5551-SB16001 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음3,418
FMW1T148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A 5SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음3,348
FMW2T148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS GP NPN 50V 5 PIN 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,870
FMY1AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음70,260
FMY4AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP Complementary Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 180MHz, 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음6,534
FMY5T148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 120V 0.05A 5SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음3,508
FMY6T148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 32V 0.05A 5SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,556
FTM3725 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 40V 1.2A 16SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,848
HBDM60V600W-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA, 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V, 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음90,450

E-ULQ2003A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,586

E-ULQ2003D1

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음3,888

FFB2222A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.5A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)

재고 있음5,022

FFB2227A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)

재고 있음56,454

FFB2907A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.6A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)

재고 있음4,860

FFB2907A_D87Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.6A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)

재고 있음2,250

FFB3904

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.2A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)

재고 있음3,186

FFB3906

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)

재고 있음2,970

FFB3946

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)

재고 있음4,680

FFB5551

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)

재고 있음26,184

FMB200

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 45V 0.5A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음28,398

FMB2222A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.5A 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음5,886

FMB2227A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음4,860

FMB2907A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.6A 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음45,780

FMB3904

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.2A 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음1,462,698

FMB3906

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 0.2A 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음634,356

FMB3946

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음5,940

FMB5551

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 160V 0.6A 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음4,050

FMBA06

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN 80V 0.5A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음25,128

FMBA14

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN DARL 30V 1.2A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 1.25MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음8,424

FMBM5551

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음68,280

FMBM5551-SB16001

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음3,418

FMW1T148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 5SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음3,348

FMW2T148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS GP NPN 50V 5 PIN

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,870

FMY1AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음70,260

FMY4AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP Complementary Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 180MHz, 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음6,534

FMY5T148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 120V 0.05A 5SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음3,508

FMY6T148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 32V 0.05A 5SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,556

FTM3725

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 40V 1.2A 16SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음7,848

HBDM60V600W-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA, 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V, 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음90,450

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