트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 800MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음2,484
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음5,328
HN2A01FU-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음6,264
HN2A01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음27,552
HN2C01FE-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음4,518
HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음5,022
HN2C01FU-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음26,982
HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음22,962
HN3A51F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SM6	재고 있음7,974
HN3C51F-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SM6	재고 있음2,790
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SM6	재고 있음6,336
HN4A06J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMV	재고 있음2,502
HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMV	재고 있음29,532
HN4A56JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: USV	재고 있음8,604
HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: ESV	재고 있음2,628
HN4B04J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMV	재고 있음22,254
HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Common Emitter 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMV	재고 있음2,592
HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Common Base 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMV	재고 있음2,610
IMT17-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음24,720
IMT17T110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음7,794
IMT17T208 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음7,866
IMT18T110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음2,286
IMT1AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음7,902
IMT1AT110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음52,602
IMT2AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음22,590
IMT3AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음6,120
IMT4-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V 전력-최대: 225mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음5,472
IMT4T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음42,102
IMX17T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음3,312
IMX17T110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음7,254

HN2A01FE-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 800MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음2,484

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음5,328

HN2A01FU-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음6,264

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음27,552

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음4,518

HN2C01FEYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음5,022

HN2C01FU-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음26,982

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음22,962

HN3A51F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SM6

재고 있음7,974

HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SM6

재고 있음2,790

HN3C51F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SM6

재고 있음6,336

HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMV

재고 있음2,502

HN4A51JTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMV

재고 있음29,532

HN4A56JU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: USV

재고 있음8,604

HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: ESV

재고 있음2,628

HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMV

재고 있음22,254

HN4C06J-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMV

재고 있음2,592

HN4C51J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Common Base
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMV

재고 있음2,610

IMT17-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음24,720

IMT17T110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음7,794

IMT17T208

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음7,866

IMT18T110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음2,286

IMT1AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음7,902

IMT1AT110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음52,602

IMT2AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음22,590

IMT3AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음6,120

IMT4-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
전력-최대: 225mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음5,472

IMT4T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음42,102

IMX17T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음3,312

IMX17T110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음7,254

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