트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JANTXV2N2920L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음5,562
JANTXV2N2920U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,104
JANTXV2N3810 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,082
JANTXV2N3810L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,316
JANTXV2N3810U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,140
JANTXV2N3811 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음2,934
JANTXV2N3811L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음6,156
JANTXV2N3811U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,290
JANTXV2N5794 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/495 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음5,490
JANTXV2N6987 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,412
JANTXV2N6988 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-Flatpack 공급자 장치 패키지: 14-Flatpack	재고 있음3,060
JANTXV2N6989 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: TO-116	재고 있음8,784
JANTXV2N6990 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-Flatpack 공급자 장치 패키지: 14-Flatpack	재고 있음8,856
L603C STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1.8W 주파수-전환: - 작동 온도: -25°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음5,382
L604C STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1.8W 주파수-전환: - 작동 온도: -25°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,344
L6221AD STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SO	재고 있음5,742
L6221AD013TR STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SO	재고 있음3,544
L6221AS STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP	재고 있음6,372
L6221CD STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SO	재고 있음5,868
L6221CD013TR STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SO	재고 있음6,012
LBN150B01-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음4,392
LBN150B02-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 MOSFET ARRAY SMD 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,670
LM394CH/NOPB Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 20V 0.02A TO99-6 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-99-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-99-6	재고 있음4,518
MAT01AH Analog Devices	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 제조업체: Analog Devices Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 300nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 450MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음5,922
MAT01AHZ Analog Devices	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 제조업체: Analog Devices Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 300nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 450MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음6,120
MAT01GH Analog Devices	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 제조업체: Analog Devices Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 450MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음5,904
MAT01GHZ Analog Devices	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 제조업체: Analog Devices Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 450MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음12,816
MAT03EH Analog Devices	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6 제조업체: Analog Devices Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,290
MAT03EHZ Analog Devices	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6 제조업체: Analog Devices Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,506
MAT03FH Analog Devices	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6 제조업체: Analog Devices Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음2,754

JANTXV2N2920L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음5,562

JANTXV2N2920U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/355
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,104

JANTXV2N3810

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,082

JANTXV2N3810L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,316

JANTXV2N3810U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,140

JANTXV2N3811

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음2,934

JANTXV2N3811L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음6,156

JANTXV2N3811U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/336
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,290

JANTXV2N5794

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/495
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음5,490

JANTXV2N6987

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558
트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,412

JANTXV2N6988

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/558
트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-Flatpack
공급자 장치 패키지: 14-Flatpack

재고 있음3,060

JANTXV2N6989

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: TO-116

재고 있음8,784

JANTXV2N6990

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-Flatpack
공급자 장치 패키지: 14-Flatpack

재고 있음8,856

L603C

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1.8W
주파수-전환: -
작동 온도: -25°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음5,382

L604C

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1.8W
주파수-전환: -
작동 온도: -25°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,344

L6221AD

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SO

재고 있음5,742

L6221AD013TR

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SO

재고 있음3,544

L6221AS

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP

재고 있음6,372

L6221CD

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SO

재고 있음5,868

L6221CD013TR

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SO

재고 있음6,012

LBN150B01-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음4,392

LBN150B02-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

MOSFET ARRAY SMD

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,670

LM394CH/NOPB

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 0.02A TO99-6

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-99-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-99-6

재고 있음4,518

MAT01AH

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

제조업체: Analog Devices Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 300nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 450MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음5,922

MAT01AHZ

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

제조업체: Analog Devices Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 300nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 450MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음6,120

MAT01GH

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

제조업체: Analog Devices Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 450MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음5,904

MAT01GHZ

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

제조업체: Analog Devices Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 450MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음12,816

MAT03EH

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6

제조업체: Analog Devices Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,290

MAT03EHZ

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6

제조업체: Analog Devices Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,506

MAT03FH

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6

제조업체: Analog Devices Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

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