트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FF600R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 600A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 4300W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,534
FF600R17KE3NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1700V 600A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,112
FF600R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1700V 600A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,698
FF600R17ME4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 600A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 48nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,482
FF600R17ME4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 600A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 48nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,562
FF600R17ME4PB11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 600A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,930
FF600R17ME4PBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 600A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,912
FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1700V 650A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 4150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,014
FF650R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1700V 650A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 4150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,130
FF650R17IE4DPB2BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1700V 650A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 650A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,632
FF650R17IE4PBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1700V 650A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 650A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,598
FF650R17IE4VBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1700V 650A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 4150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,642
FF75R12RT4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 395W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,402
FF75R12YT3BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 345W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,822
FF800R12KE3NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 800A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 3900W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 57nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,146
FF800R12KF4 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 800A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 800A 전력-최대: 5000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 16mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 55nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,786
FF800R12KL4CNOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 800A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,564
FF800R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1700V 800A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,796
FF800R17KE3NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 800A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 4450W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 72nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,916
FF800R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 800A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 6250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 1.5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 52nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,580
FF800R17KF6CB2NOSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE A-IHM130-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,100
FF800R17KP4B2NOSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1700V 800A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,930
FF900R12IE4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 900A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PrimePack™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 5100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,888
FF900R12IE4PBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT PRIME2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PrimePack™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,758
FF900R12IE4VBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 900A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PrimePack™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 5100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,390
FF900R12IE4VPBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT PRIME2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PrimePack™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,076
FF900R12IP4BOSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 900A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PrimePack™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 5100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,478
FF900R12IP4DBOSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 900A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PrimePack™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 5100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,830
FF900R12IP4DVBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 900A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PrimePack™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 5100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,968
FF900R12IP4PBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 900A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PrimePack™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,546

FF600R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 600A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 4300W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,534

FF600R17KE3NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 600A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,112

FF600R17KF6CB2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 600A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,698

FF600R17ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 600A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 48nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,482

FF600R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 600A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 48nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,562

FF600R17ME4PB11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 600A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,930

FF600R17ME4PBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 600A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,912

FF650R17IE4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 650A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 4150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,014

FF650R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 650A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 4150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,130

FF650R17IE4DPB2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 650A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 650A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,632

FF650R17IE4PBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 650A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 650A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,598

FF650R17IE4VBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 650A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 4150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,642

FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 395W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,402

FF75R12YT3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 345W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,822

FF800R12KE3NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 800A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 3900W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 57nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,146

FF800R12KF4

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 800A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 800A
전력-최대: 5000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 16mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 55nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,786

FF800R12KL4CNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 800A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,564

FF800R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 800A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,796

FF800R17KE3NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 800A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 4450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 72nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,916

FF800R17KF6CB2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 800A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 6250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 1.5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 52nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,580

FF800R17KF6CB2NOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE A-IHM130-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,100

FF800R17KP4B2NOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 800A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,930

FF900R12IE4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 900A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PrimePack™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 5100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,888

FF900R12IE4PBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT PRIME2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PrimePack™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,758

FF900R12IE4VBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 900A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PrimePack™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 5100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,390

FF900R12IE4VPBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT PRIME2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PrimePack™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,076

FF900R12IP4BOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 900A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PrimePack™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 5100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,478

FF900R12IP4DBOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 900A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PrimePack™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 5100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,830

FF900R12IP4DVBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 900A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PrimePack™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 5100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,968

FF900R12IP4PBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 900A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PrimePack™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,546

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