트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FMS7G20US60 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 20A 25PM-AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter with Brake 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 89W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.277nF @ 30V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 25PM-AA 공급자 장치 패키지: 25PM-AA	재고 있음4,446
FMS7G20US60S ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 20A 25PM-AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter with Brake 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 89W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.277nF @ 30V 입력: Single Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 25PM-AA 공급자 장치 패키지: 25PM-AA	재고 있음5,274
FP06R12W1T4B3BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 6A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전력-최대: 94W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,474
FP100R06KE3_B16 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT FP100R06KE3B16BOSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,988
FP100R06KE3BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 335W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,372
FP100R07N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 335W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,078
FP100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 335W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,552
FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 515W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,250
FP100R12KT4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 515W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,740
FP100R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,094
FP100R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,328
FP10R06KL4BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR EASY2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,168
FP10R06W1E3B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전력-최대: 68W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 550pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,254
FP10R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전력-최대: 68W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 550pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,292
FP10R12KE3BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR EASY2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,812
FP10R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 105W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,614
FP10R12W1T4B29BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,470
FP10R12W1T4B3BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 105W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,866
FP10R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 105W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,490
FP10R12W1T4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EasyPIM™ 1B IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,012
FP10R12W1T4PBPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EasyPIM™ 1B IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,046
FP10R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 LOW POWER EASY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EasyPIM™ 1B IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 4.5µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1890pF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 75°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-EASY1B-2	재고 있음7,560
FP10R12YT3B4BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR EASY2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,604
FP10R12YT3BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR EASY2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,050
FP150R07N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 650V 150A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 430W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,508
FP150R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 650V 150A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 430W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,428
FP150R12KT4B11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 150A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoPIM™3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.35nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,978
FP150R12KT4BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 150A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoPIM™3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.35nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,544
FP150R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 150A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoPIM™3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.35nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,758
FP150R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 150A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoPIM™3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.35nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,624

FMS7G20US60

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 20A 25PM-AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 89W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.277nF @ 30V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 25PM-AA
공급자 장치 패키지: 25PM-AA

재고 있음4,446

FMS7G20US60S

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 20A 25PM-AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 89W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.277nF @ 30V
입력: Single Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 25PM-AA
공급자 장치 패키지: 25PM-AA

재고 있음5,274

FP06R12W1T4B3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 6A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전력-최대: 94W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,474

FP100R06KE3_B16

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT FP100R06KE3B16BOSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,988

FP100R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 335W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,372

FP100R07N3E4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 335W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,078

FP100R07N3E4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 335W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,552

FP100R12KT4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 515W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,250

FP100R12KT4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 515W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,740

FP100R12KT4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,094

FP100R12KT4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,328

FP10R06KL4BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,168

FP10R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전력-최대: 68W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 550pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,254

FP10R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전력-최대: 68W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 550pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,292

FP10R12KE3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,812

FP10R12W1T4B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 105W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,614

FP10R12W1T4B29BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,470

FP10R12W1T4B3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 105W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,866

FP10R12W1T4BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 105W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,490

FP10R12W1T4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EasyPIM™ 1B
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,012

FP10R12W1T4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EasyPIM™ 1B
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,046

FP10R12W1T7B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

LOW POWER EASY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EasyPIM™ 1B
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 4.5µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1890pF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 75°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-EASY1B-2

재고 있음7,560

FP10R12YT3B4BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,604

FP10R12YT3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,050

FP150R07N3E4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 650V 150A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 430W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,508

FP150R07N3E4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 650V 150A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 430W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,428

FP150R12KT4B11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 150A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoPIM™3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.35nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,978

FP150R12KT4BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 150A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoPIM™3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.35nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,544

FP150R12KT4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 150A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoPIM™3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.35nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,758

FP150R12KT4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 150A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoPIM™3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.35nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,624

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