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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
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수량
FP25R12W2T4PB11BPSA1
FP25R12W2T4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY2B-2

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: EasyPIM™ 2B
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전력-최대: 20mW
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.45nF @ 25V
  • 입력: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,570
FP25R12W2T4PBPSA1
FP25R12W2T4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY2B-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: EasyPIM™ 2B
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전력-최대: 20mW
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.45nF @ 25V
  • 입력: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,662
FP30R06KE3BOSA1
FP30R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 30A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 37A
  • 전력-최대: 125W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음7,938
FP30R06W1E3B11BOMA1
FP30R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 30A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 37A
  • 전력-최대: 115W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,830
FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 30A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 37A
  • 전력-최대: 115W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음8,046
FP30R06YE3B4BOMA1
FP30R06YE3B4BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY2-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • IGBT 유형: -
  • 구성: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: -
  • NTC 서미스터: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,004
FP30R06YE3BOMA1
FP30R06YE3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT CBI E2

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • IGBT 유형: -
  • 구성: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: -
  • NTC 서미스터: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,426
FP30R07U1E4BPSA1
FP30R07U1E4BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 30A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전력-최대: 160W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.9nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,462
FP35R12KT4B11BOSA1
FP35R12KT4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 35A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
  • 전력-최대: 210W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,084
FP35R12KT4B15BOSA1
FP35R12KT4B15BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 35A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
  • 전력-최대: 210W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,896
FP35R12KT4B16BOSA1
FP35R12KT4B16BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전력-최대: 210W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,268
FP35R12KT4BOSA1
FP35R12KT4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 35A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
  • 전력-최대: 210W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,832
FP35R12KT4PBPSA1
FP35R12KT4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: EconoPIM™ 2
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전력-최대: 20mW
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,922
FP35R12U1T4BPSA1
FP35R12U1T4BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 35A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
  • 전력-최대: 250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,868
FP35R12W2T4B11BOMA1
FP35R12W2T4B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 35A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
  • 전력-최대: 215W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,596
FP35R12W2T4BOMA1
FP35R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 35A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
  • 전력-최대: 215W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,934
FP35R12W2T4PB11BPSA1
FP35R12W2T4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY2B-2

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: EasyPIM™ 2B
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전력-최대: 20mW
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음7,128
FP35R12W2T4PBPSA1
FP35R12W2T4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR EASY2B-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: EasyPIM™ 2B
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전력-최대: 20mW
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,230
FP40R12KE3BOSA1
FP40R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 40A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
  • 전력-최대: 210W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음7,578
FP40R12KE3GBOSA1
FP40R12KE3GBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 40A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
  • 전력-최대: 210W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음7,653
FP40R12KT3BOSA1
FP40R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 40A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
  • 전력-최대: 210W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음8,496
FP40R12KT3GBOSA1
FP40R12KT3GBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 40A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
  • 전력-최대: 210W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 401A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,716
FP50R06KE3BOSA1
FP50R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 50A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전력-최대: 190W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,012
FP50R06W2E3B11BOMA1
FP50R06W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 50A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
  • 전력-최대: 175W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,426
FP50R06W2E3BOMA1
FP50R06W2E3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 600V 450A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
  • 전력-최대: 175W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,590
FP50R07N2E4B11BOSA1
FP50R07N2E4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 50A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,526
FP50R07N2E4BOSA1
FP50R07N2E4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 50A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음7,956
FP50R07U1E4BPSA1
FP50R07U1E4BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 50A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전력-최대: 230W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,174
FP50R12KE3BOSA1
FP50R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 50A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전력-최대: 280W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음8,244
FP50R12KS4CBOSA1
FP50R12KS4CBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 50A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전력-최대: 360W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,430