트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FP50R12KT3BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,052
FP50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,938
FP50R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,130
FP50R12KT4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,096
FP50R12KT4GB15BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,682
FP50R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,474
FP50R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,436
FP50R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoPIM™ 2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.45nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,346
FP50R12N2T4B16BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 LOW POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,128
FP75R06KE3BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 95A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,928
FP75R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,552
FP75R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 95A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,448
FP75R12KE3BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 105A 전력-최대: 355W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,048
FP75R12KT3BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 105A 전력-최대: 355W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,968
FP75R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,964
FP75R12KT4B15BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,686
FP75R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,424
FP75R12KT4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,380
FP75R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoPIM™3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,070
FP75R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoPIM™3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,412
FP75R12N2T4B11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 LOW POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,922
FP75R12N2T4B16BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 LOW POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,508
FP75R12N2T4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 LOW POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,380
FP75R12N2T4PBPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 LOW POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,974
FP75R17N3E4B11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoPIM™3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.8nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,794
FP75R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 125A 전력-최대: 555W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,158
FP7G100US60 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE SPM 600V 100A EPM7 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Power-SPM™ IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.085nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EPM7 공급자 장치 패키지: EPM7	재고 있음1,154
FP7G50US60 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 600V 50A EPM7 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Power-SPM™ IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.92nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EPM7 공급자 장치 패키지: EPM7	재고 있음217
FP7G75US60 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 600V 75A EPM7 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Power-SPM™ IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 310W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.515nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EPM7 공급자 장치 패키지: EPM7	재고 있음648
FPF1C2P5MF07AM ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-모듈 620V 30A DC/AC HIGH POWER MOD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 620V 전류-수집기 (Ic) (최대): 39A 전력-최대: 231W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 25µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Single Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: F1 Module 공급자 장치 패키지: F1	재고 있음6,786

FP50R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,052

FP50R12KT4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,938

FP50R12KT4B16BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,130

FP50R12KT4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,096

FP50R12KT4GB15BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,682

FP50R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,474

FP50R12KT4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,436

FP50R12KT4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoPIM™ 2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.45nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,346

FP50R12N2T4B16BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

LOW POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,128

FP75R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 95A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,928

FP75R07N2E4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,552

FP75R07N2E4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 95A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,448

FP75R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 105A
전력-최대: 355W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,048

FP75R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 105A
전력-최대: 355W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,968

FP75R12KT4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,964

FP75R12KT4B15BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,686

FP75R12KT4B16BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,424

FP75R12KT4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,380

FP75R12KT4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoPIM™3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,070

FP75R12KT4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoPIM™3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,412

FP75R12N2T4B11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

LOW POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,922

FP75R12N2T4B16BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

LOW POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,508

FP75R12N2T4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

LOW POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,380

FP75R12N2T4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

LOW POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,974

FP75R17N3E4B11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoPIM™3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.8nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,794

FP75R17N3E4BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 125A
전력-최대: 555W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,158

FP7G100US60

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE SPM 600V 100A EPM7

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Power-SPM™
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.085nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EPM7
공급자 장치 패키지: EPM7

재고 있음1,154

FP7G50US60

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 600V 50A EPM7

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Power-SPM™
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.92nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EPM7
공급자 장치 패키지: EPM7

재고 있음217

FP7G75US60

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 600V 75A EPM7

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Power-SPM™
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 310W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.515nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EPM7
공급자 장치 패키지: EPM7

재고 있음648

FPF1C2P5MF07AM

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

620V 30A DC/AC HIGH POWER MOD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 620V
전류-수집기 (Ic) (최대): 39A
전력-최대: 231W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 25µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Single Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: F1 Module
공급자 장치 패키지: F1

재고 있음6,786

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