트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
J202_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,618
J203-18 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH TO-92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,246
J270 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,520
J270_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,812
J270_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,034
J271 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,304
J2A012YXS/T1AY403, NXP	트랜지스터-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,068
J2A020YXS/T0BY425, NXP	트랜지스터-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,478
J2A040YXS/T0BY424, NXP	트랜지스터-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,268
J2A080GX0/T0BG295, NXP	트랜지스터-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,100
J3A012YXS/T0BY4551 NXP	트랜지스터-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,906
J3A040YXS/T0BY4571 NXP	트랜지스터-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,030
J3A080YXS/T0BY4AG0 NXP	트랜지스터-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,326
JANTX2N4091 Microsemi	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 360MW TO-18 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음7,812
JANTX2N4092 Microsemi	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 360MW TO-18 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음143
JANTX2N4092UB Microsemi	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.36W SMD 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음6,756
JANTX2N4093UB Microsemi	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.36W SMD 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 80 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음218
JANTX2N4416AUB Microsemi	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음4,554
JANTX2N4857 Microsemi	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 360MW TO-18 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 40 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음5,562
JANTX2N4859 Microsemi	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 25 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음15,714
JFTJ105 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 1W SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4.5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 3 Ohms 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223-4	재고 있음6,282
KSK30OBU ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,662
KSK30RBU ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,708
KSK30YBU ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,304
KSK30YTA ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,182
KSK595HMTF ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,178
KSK596ABU ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음2,844
KSK596BBU ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음3,418
KSK596BU ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음4,986
KSK596CBU ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음6,516

J202_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,618

J203-18

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH TO-92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,246

J270

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,520

J270_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,812

J270_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,034

J271

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,304

J2A012YXS/T1AY403,

NXP

트랜지스터-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,068

J2A020YXS/T0BY425,

NXP

트랜지스터-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,478

J2A040YXS/T0BY424,

NXP

트랜지스터-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,268

J2A080GX0/T0BG295,

NXP

트랜지스터-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,100

J3A012YXS/T0BY4551

NXP

트랜지스터-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,906

J3A040YXS/T0BY4571

NXP

트랜지스터-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,030

J3A080YXS/T0BY4AG0

NXP

트랜지스터-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,326

JANTX2N4091

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음7,812

JANTX2N4092

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음143

JANTX2N4092UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.36W SMD

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음6,756

JANTX2N4093UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.36W SMD

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 80 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음218

JANTX2N4416AUB

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음4,554

JANTX2N4857

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 40 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음5,562

JANTX2N4859

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 360MW TO-18

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 25 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음15,714

JFTJ105

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 1W SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4.5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 3 Ohms
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223-4

재고 있음6,282

KSK30OBU

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,662

KSK30RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,708

KSK30YBU

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,304

KSK30YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,182

KSK595HMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,178

KSK596ABU

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음2,844

KSK596BBU

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음3,418

KSK596BU

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음4,986

KSK596CBU

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음6,516

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