트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FJX597JBTF ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)	재고 있음83,298
FJX597JCTF ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)	재고 있음59,355
FJX597JHTF ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)	재고 있음69,018
FJZ594JBTF ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-623F 공급자 장치 패키지: SOT-623F	재고 있음35,683
FJZ594JCTF ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-623F 공급자 장치 패키지: SOT-623F	재고 있음34,934
FJZ594JTF ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-623F 공급자 장치 패키지: SOT-623F	재고 있음6,480
IJW120R070T1FKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-JFET JFET N-CHAN 35A TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3.3µA @ 1200V 전류 드레인 (Id)-최대: 35A 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 19.5V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 70 mOhms 전력-최대: 238W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음8,154
IJW120R100T1FKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-JFET JFET N-CHAN 26A TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5µA @ 1200V 전류 드레인 (Id)-최대: 26A 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 100 mOhms 전력-최대: 190W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음4,950
J105 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4.5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 3 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,230
J105_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4.5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 3 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,706
J105_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4.5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 3 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,158
J106 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 6 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,889
J106_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 6 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,300
J107 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 8 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,644
J107_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 8 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,848
J108 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 8 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,070
J108,126 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): 8 Ohms 전력-최대: 400mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,038
J108_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 8 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,362
J108_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 8 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,066
J108_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 8 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,988
J109 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 12 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음309,197
J109,126 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 12 Ohms 전력-최대: 400mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,550
J109-D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 12 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,718
J109_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 12 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,010
J109_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 12 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,454
J109_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 12 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,284
J110 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH TO-92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음2,736
J110 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 18 Ohms 전력-최대: 310mW 작동 온도: 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,904
J110,126 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): 18 Ohms 전력-최대: 400mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,070
J110_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 18 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,246

FJX597JBTF

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)

재고 있음83,298

FJX597JCTF

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)

재고 있음59,355

FJX597JHTF

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)

재고 있음69,018

FJZ594JBTF

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-623F
공급자 장치 패키지: SOT-623F

재고 있음35,683

FJZ594JCTF

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-623F
공급자 장치 패키지: SOT-623F

재고 있음34,934

FJZ594JTF

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-623F
공급자 장치 패키지: SOT-623F

재고 있음6,480

IJW120R070T1FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-JFET

JFET N-CHAN 35A TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3.3µA @ 1200V
전류 드레인 (Id)-최대: 35A
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 19.5V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 70 mOhms
전력-최대: 238W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음8,154

IJW120R100T1FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-JFET

JFET N-CHAN 26A TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5µA @ 1200V
전류 드레인 (Id)-최대: 26A
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 100 mOhms
전력-최대: 190W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음4,950

J105

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4.5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 3 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,230

J105_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4.5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 3 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,706

J105_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4.5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 3 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,158

J106

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 6 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,889

J106_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 6 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,300

J107

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 8 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,644

J107_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 8 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,848

J108

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 8 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,070

J108,126

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 0.4W SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): 8 Ohms
전력-최대: 400mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,038

J108_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 8 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,362

J108_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 8 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,066

J108_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 8 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,988

J109

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 12 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음309,197

J109,126

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 0.4W SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 12 Ohms
전력-최대: 400mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,550

J109-D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 12 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,718

J109_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 12 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,010

J109_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 12 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,454

J109_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 12 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,284

J110

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH TO-92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음2,736

J110

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 0.31W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 18 Ohms
전력-최대: 310mW
작동 온도: 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,904

J110,126

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 0.4W SOT54

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): 18 Ohms
전력-최대: 400mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,070

J110_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 18 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,246

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