트랜지스터

BSR58LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

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BSV79

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

IC FET N-CH TO-18

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): 40 Ohms
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSV80

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

IC FET N-CH TO-18

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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CMPF4391 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 50MA SOT23

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23

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CMPF4392 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 50MA SOT23

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23

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CMPF4393 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 50MA SOT23

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23

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CMPF4416A TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 10MA SOT23

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23

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CMPF5485 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 10MA SOT23

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

CMPFJ175 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

IC JFET P-CH SOT23-3

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): 125 Ohms
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

CMPFJ176 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

IC JFET P-CH SOT23-3

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): 250 Ohms
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23

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CMPFJ310 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

IC JFET P-CH SOT23-3

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

CMPFJ310 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

IC JFET P-CH SOT23-3

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23

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CP206-2N4393-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH SW/CHOPPER CHIP 1=400

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: Die
• 공급자 장치 패키지: Die

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CP206-2N4393-CT20

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 1=20PCS

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: Die
• 공급자 장치 패키지: Die

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

CP210-2N4416-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH AMP CHIP FORM 1=400

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: Die
• 공급자 장치 패키지: Die

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

CP210-2N4416-CT20

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

TRANS JFET NCH 1=20PCS

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: Die
• 공급자 장치 패키지: Die

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

CP548-2N5116-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 50MA

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

CPH3910-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 25V .04A CPH3

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 100µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 400mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: 3-CPH

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

CPH6904-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET 2N-CH 0.7W CPH6

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 700mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: 6-CPH

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DSK5J01P0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-85
• 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B

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DSK5J01Q0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-85
• 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B

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DSK9J01P0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 125mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
• 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B

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EC3A03B-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.7pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: 3-ECSP1006

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EC3A04B-3-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): 200 Ohms
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: 3-ECSP1006

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FJN598JABU

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.15W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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FJN598JATA

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.15W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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FJN598JBBU

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.15W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.15W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.15W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.15W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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