트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SK932-23-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 200mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음12,396
2SK932-24-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 200mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음14,155
5185_2N4391 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH JFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,470
5185-2N4392 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET BIPOLAR TRANSISTORS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,768
5285-MMBFJ201 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,812
8885_2N5115 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,808
BF246A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET SCR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,730
BF246A ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음1,703
BF246A_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,668
BF246B Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET SCR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,988
BF246B ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,866
BF246B_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,958
BF246C Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET SCR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,040
BF247A ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,506
BF247A_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,862
BFR30,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음155
BFR30,235 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음4,410
BFR30LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 225MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음8,928
BFR30LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 225MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음6,300
BFR31,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음2
BFR31,235 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음5,220
BFR31LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 225MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음5,526
BFR31LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 225MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음3,888
BFT46,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.2V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음1
BSR56 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 25 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음19,535
BSR56,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 25 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음3,618
BSR57 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 40 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음29,393
BSR57,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 40 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음8,946
BSR58 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음28,727
BSR58,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음6,768

2SK932-23-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 200mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음12,396

2SK932-24-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 200mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음14,155

5185_2N4391

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH JFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,470

5185-2N4392

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

BIPOLAR TRANSISTORS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,768

5285-MMBFJ201

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,812

8885_2N5115

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,808

BF246A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

SCR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,730

BF246A

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음1,703

BF246A_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,668

BF246B

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

SCR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,988

BF246B

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,866

BF246B_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,958

BF246C

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

SCR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,040

BF247A

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,506

BF247A_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,862

BFR30,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음155

BFR30,235

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음4,410

BFR30LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 225MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음8,928

BFR30LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 225MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음6,300

BFR31,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음2

BFR31,235

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음5,220

BFR31LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 225MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음5,526

BFR31LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 225MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음3,888

BFT46,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.2V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음1

BSR56

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 25 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음19,535

BSR56,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.25W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: 20mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 25 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음3,618

BSR57

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 40 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음29,393

BSR57,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 40 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음8,946

BSR58

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음28,727

BSR58,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

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