트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N5461_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,092
2N5461_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,838
2N5461G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,406
2N5461_L99Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 9mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음5,976
2N5461RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,418
2N5461RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,448
2N5462 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,416
2N5462_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,482
2N5462G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,402
2N5545JTX01 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: TO-71	재고 있음4,194
2N5545JTXL01 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: TO-71	재고 있음7,128
2N5545JTXV01 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: TO-71	재고 있음4,914
2N5546JTX01 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: TO-71	재고 있음8,676
2N5546JTXL01 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: TO-71	재고 있음4,914
2N5546JTXV01 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: TO-71	재고 있음6,930
2N5547JTX01 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: TO-71	재고 있음5,724
2N5547JTXL01 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: TO-71	재고 있음2,826
2N5547JTXV01 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: TO-71	재고 있음7,812
2N5638 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음588
2N5638_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,016
2N5638RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 0.31W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 310mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,698
2N5638RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 0.31W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 310mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,384
2N5639 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 0.31W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 310mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,056
2N5639_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,910
2N5639_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,460
2N5639G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 0.31W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 310mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,376
2N5639RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 0.31W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 310mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,876
2N5953 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET IC FET N-CH TO-92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 375 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음7,074
2N6660JAN02 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET JFET N-CH 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,824
2SJ01630RL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-JFET JFET P-CH 20MA 150MW MINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 10µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 300 Ohms 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: Mini3-G1	재고 있음2,394

2N5461_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,092

2N5461_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,838

2N5461G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,406

2N5461_L99Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 9mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음5,976

2N5461RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,418

2N5461RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,448

2N5462

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,416

2N5462_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,482

2N5462G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,402

2N5545JTX01

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: TO-71

재고 있음4,194

2N5545JTXL01

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: TO-71

재고 있음7,128

2N5545JTXV01

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: TO-71

재고 있음4,914

2N5546JTX01

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: TO-71

재고 있음8,676

2N5546JTXL01

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: TO-71

재고 있음4,914

2N5546JTXV01

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: TO-71

재고 있음6,930

2N5547JTX01

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: TO-71

재고 있음5,724

2N5547JTXL01

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: TO-71

재고 있음2,826

2N5547JTXV01

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: TO-71

재고 있음7,812

2N5638

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음588

2N5638_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,016

2N5638RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.31W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 310mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,698

2N5638RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.31W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 310mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,384

2N5639

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.31W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 310mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,056

2N5639_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,910

2N5639_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,460

2N5639G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.31W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 310mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,376

2N5639RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.31W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 310mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,876

2N5953

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

IC FET N-CH TO-92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 375 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음7,074

2N6660JAN02

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET JFET N-CH

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,824

2SJ01630RL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 20MA 150MW MINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 20mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 10µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 300 Ohms
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: Mini3-G1

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