트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SK33720UL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-JFET JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1	재고 있음2,052
2SK3372GRL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-JFET JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2	재고 있음6,426
2SK3372GSL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-JFET JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2	재고 있음7,920
2SK3372GTL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-JFET JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2	재고 있음3,472
2SK3372GUL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-JFET JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2	재고 있음4,392
2SK34260TL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-JFET JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1	재고 있음4,964
2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET NCH 30V 200MW 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 200 Ohms 전력-최대: 200mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음9,943
2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 200 Ohms 전력-최대: 200mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음12,596
2SK3666-4-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.2W CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 200 Ohms 전력-최대: 200mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음8,388
2SK3738-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V SC-75 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.3V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.7pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SMCP	재고 있음3,276
2SK3796-2-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 200 Ohms 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SMCP	재고 있음5,022
2SK3796-3-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 200 Ohms 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SMCP	재고 있음2,924
2SK3796-4-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 200 Ohms 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SMCP	재고 있음5,094
2SK545-11D-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 125MW CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.7pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 125mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음212
2SK596S-A ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 0.1W 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.1pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음7,254
2SK596S-B ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW SPA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.1pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음20,035
2SK596S-C ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 0.1W 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.1pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음159
2SK715U ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음7,020
2SK715U-AC ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음3,420
2SK715V ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음112
2SK715V-AC ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음31,559
2SK715W ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음3,150
2SK715W-AC ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음5,112
2SK771-5-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 20MA 200MW SCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 200mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음3,905
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-JFET JFET N-CH 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음32,949
2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-JFET JFET N-CH 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음392,380
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음7,020
2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음7,416
2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음5,933
2SK932-22-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 200mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음4,427

2SK33720UL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 2mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1

재고 있음2,052

2SK3372GRL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 2mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2

재고 있음6,426

2SK3372GSL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 2mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2

재고 있음7,920

2SK3372GTL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 2mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2

재고 있음3,472

2SK3372GUL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 2mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2

재고 있음4,392

2SK34260TL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 2mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1

재고 있음4,964

2SK3666-2-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET NCH 30V 200MW 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 200 Ohms
전력-최대: 200mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음9,943

2SK3666-3-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 200 Ohms
전력-최대: 200mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음12,596

2SK3666-4-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.2W CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 200 Ohms
전력-최대: 200mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음8,388

2SK3738-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V SC-75

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.3V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.7pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SMCP

재고 있음3,276

2SK3796-2-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 100MW SMCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 200 Ohms
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SMCP

재고 있음5,022

2SK3796-3-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 100MW SMCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 200 Ohms
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SMCP

재고 있음2,924

2SK3796-4-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 100MW SMCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 200 Ohms
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SMCP

재고 있음5,094

2SK545-11D-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 125MW CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.7pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 125mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음212

2SK596S-A

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 0.1W

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.1pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음7,254

2SK596S-B

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW SPA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.1pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음20,035

2SK596S-C

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 0.1W

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.1pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음159

2SK715U

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음7,020

2SK715U-AC

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음3,420

2SK715V

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음112

2SK715V-AC

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음31,559

2SK715W

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음3,150

2SK715W-AC

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음5,112

2SK771-5-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20MA 200MW SCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 20mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 200mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음3,905

2SK879-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음32,949

2SK879-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음392,380

2SK880-BL(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음7,020

2SK880GRTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음7,416

2SK880-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음5,933

2SK932-22-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 200mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음4,427

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