트랜지스터

2SJ01640RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): 300 Ohms
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 3-SSIP
• 공급자 장치 패키지: NS-A1

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2SJ03640QL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): 300 Ohms
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: SMini3-G1

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2SK01980RL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: Mini3-G1

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2SK06620RL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: SMini3-G1

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2SK06630RL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6.5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: SMini3-G1

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2SK0663GRL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6.5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-85
• 공급자 장치 패키지: SMini3-F2

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2SK1070PICTL-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-JFET

JFET N-CH MPAK

• 제조업체: Renesas Electronics America
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 22V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 0V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: 3-MPAK

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2SK1070PIDTL-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-JFET

JFET N-CH MPAK

• 제조업체: Renesas Electronics America
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 22V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 0V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: 3-MPAK

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2SK1070PIETL-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-JFET

JFET N-CH MPAK

• 제조업체: Renesas Electronics America
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 22V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 0V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: 3-MPAK

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2SK1070PIETR-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-JFET

JFET N-CH MPAK

• 제조업체: Renesas Electronics America
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 22V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 0V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: 3-MPAK

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2SK11030QL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): 300 Ohms
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: Mini3-G1

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2SK208-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V SC59

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 6.5mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SC-59

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2SK208-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V SC59

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 6.5mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SC-59

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK208-R(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V S-MINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 6.5mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK208-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V S-MINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 6.5mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2145-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2145-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2145-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

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2SK23800QL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 125MW SSMINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.3V @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 125mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
• 공급자 장치 패키지: SSMini3-F2

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2SK2394-6-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: 3-CP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2394-7-FRD-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH SC-59-3

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2394-7-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 16mA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: 3-CP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2593GQL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6.5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 125mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
• 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2593JQL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6.5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 125mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
• 공급자 장치 패키지: SSMini3-F1

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK275100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.4µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3.5V @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: Mini3-G1

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK3320-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET DUAL N-CH USV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 공급자 장치 패키지: USV

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2SK3320-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET DUAL N-CH USV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 공급자 장치 패키지: USV

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2SK33720RL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1

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2SK33720SL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1

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2SK33720TL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: -20°C ~ 80°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1

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