Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

트랜지스터

기록 64,903
페이지 26/2164
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
MMDT4146-7-F
MMDT4146-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 300MHz, 250MHz
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음47,826
MMDT4401-7
MMDT4401-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음4,284
MMDT4401-7-F
MMDT4401-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음24,228
MMDT4401Q-7-F
MMDT4401Q-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음2,160
MMDT4401-TP
MMDT4401-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음2,808
MMDT4403-7
MMDT4403-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음8,892
MMDT4403-7-F
MMDT4403-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음2,826
MMDT4403-TP
MMDT4403-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음2,682
MMDT4413-7
MMDT4413-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.6A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 250MHz, 200MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음4,554
MMDT4413-7-F
MMDT4413-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.6A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 250MHz, 200MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음8,640
MMDT5401-7
MMDT5401-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음5,220
MMDT5401-7-F
MMDT5401-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음1,182,210
MMDT5401Q-7-F
MMDT5401Q-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음6,228
MMDT5401-TP
MMDT5401-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음6,642
MMDT5451-7
MMDT5451-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V, 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음5,256
MMDT5451-7-F
MMDT5451-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V, 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음1,072,608
MMDT5551-7
MMDT5551-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음7,920
MMDT5551-7-F
MMDT5551-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음1,049,040
MMDT5551-TP
MMDT5551-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음7,740
MMDTA06-7
MMDTA06-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 900mW
  • 주파수-전환: 163MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SOT-26
재고 있음72,546
MMDTA42-7-F
MMDTA42-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 300V 0.5A SOT26

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SOT-26
재고 있음86,016
MMPQ2222
MMPQ2222

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 30V 0.5A 16SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음6,840
MMPQ2222A
MMPQ2222A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음193,038
MMPQ2222AR1
MMPQ2222AR1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 350MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음2,016
MMPQ2907
MMPQ2907

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 40V 0.6A 16SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음7,668
MMPQ2907A
MMPQ2907A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A 16SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음19,068
MMPQ2907A BK
MMPQ2907A BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR PNP QUAD SMD

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음7,362
MMPQ3904
MMPQ3904

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 40V 0.2A 16SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음39,684
MMPQ3904 TR13
MMPQ3904 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR NPN QUAD SMD

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 450MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음5,364
MMPQ3906
MMPQ3906

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 40V 0.2A 16SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음4,572