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트랜지스터

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설명
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NST847BPDP6T5G
NST847BPDP6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 350mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-963
  • 공급자 장치 패키지: SOT-963
재고 있음229,158
NST857BDP6T5G
NST857BDP6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 350mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-963
  • 공급자 장치 패키지: SOT-963
재고 있음64,260
NSV40300MDR2G
NSV40300MDR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
  • 전력-최대: 653mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,726
NSV40301MDR2G
NSV40301MDR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 653mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,128
NSV40302PDR2G
NSV40302PDR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
  • 전력-최대: 653mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,776
NSV60100DMTWTBG
NSV60100DMTWTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

DUAL TRANSISTOR PNP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 2.27W
  • 주파수-전환: 155MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)
재고 있음25,560
NSV60100DUW6T1G
NSV60100DUW6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

DUAL TRANSISTOR PNP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,268
NSV60101DMR6T1G
NSV60101DMR6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 530mW
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SC-74
재고 있음3,474
NSV60101DMTWTBG
NSV60101DMTWTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 2.27W
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)
재고 있음5,238
NSVBC847BDW1T2G
NSVBC847BDW1T2G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 380mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363
재고 있음3,978
NSVBC848CDW1T1G
NSVBC848CDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 380mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363
재고 있음2,628
NSVBT2222ADW1T1G
NSVBT2222ADW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363
재고 있음42,030
NSVEMT1DXV6T1G
NSVEMT1DXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500pA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음5,400
NSVEMT1DXV6T5G
NSVEMT1DXV6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500pA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음8,460
NSVEMX1DXV6T1G
NSVEMX1DXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음7,326
NSVMBT3904DW1T3G
NSVMBT3904DW1T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363
재고 있음7,992
NSVT30010MXV6T1G
NSVT30010MXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음2,160
NSVT3904DP6T5G
NSVT3904DP6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 350mW
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-963
  • 공급자 장치 패키지: SOT-963
재고 있음8,532
NSVT3904DXV6T1G
NSVT3904DXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음2,016
NSVT3906DXV6T1G
NSVT3906DXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음7,758
NSVT3946DP6T5G
NSVT3946DP6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 350mW
  • 주파수-전환: 200MHz, 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-963
  • 공급자 장치 패키지: SOT-963
재고 있음6,570
NSVT3946DXV6T1G
NSVT3946DXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 300MHz, 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음5,310
NSVT45010MW6T1G
NSVT45010MW6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88-6

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 380mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88 (SOT-363)
재고 있음8,586
NSVT45010MW6T3G
NSVT45010MW6T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88-6

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 380mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88 (SOT-363)
재고 있음7,056
NSVT45011MW6T3G
NSVT45011MW6T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88-6

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 380mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363
재고 있음5,814
NSVT65010MW6T1G
NSVT65010MW6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 380mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88 (SOT-363)
재고 있음2,286
NSVT65011MW6T1G
NSVT65011MW6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • 전력-최대: 380mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88 (SOT-363)
재고 있음8,208
NSVUMC5NT1G
NSVUMC5NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,294
PBSS2515VPN,115
PBSS2515VPN,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 15V 0.5A SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 300mW
  • 주파수-전환: 420MHz, 280MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음131,736
PBSS2515VS,115
PBSS2515VS,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 15V 0.5A SOT666

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 420MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-666
재고 있음230,748