트랜지스터

MMPQ3906 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR PNP QUAD 16SOIC

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 전력-최대: 1W
• 주파수-전환: 450MHz
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 16-SOIC

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MMPQ6502 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR QUAD SMD

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
• 전력-최대: 1W
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 16-SOIC

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MMPQ6700

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 40V 0.2A 16SOIC

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V
• 전력-최대: 1W
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 16-SOIC

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MP6Z13TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN, PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
• 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
• 전력-최대: 2W
• 주파수-전환: 320MHz, 300MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: MPT6

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MPQ2222

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 40V 0.5A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 650mW
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ2222A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 40V 0.5A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 650mW
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ2369

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 15V 0.5A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 400nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 2V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: 450MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ2483

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 40V

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: 3W
• 주파수-전환: 50MHz
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ2484

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 40V

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: 3W
• 주파수-전환: 50MHz
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ2907

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 40V 0.6A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V
• 전력-최대: 650mW
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ2907A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V
• 전력-최대: 650mW
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ3467

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 40V

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): 200nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: 3W
• 주파수-전환: 125MHz
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ3725

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 40V 1A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 100mA, 1V
• 전력-최대: 1W
• 주파수-전환: 250MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ3725A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 1A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 2V
• 전력-최대: 1W
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MPQ3762

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 40V

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: 3W
• 주파수-전환: 150MHz
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MPQ3798

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 40V 0.05A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 10mA, 5V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: 60MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MPQ3799

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.05A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: 60MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MPQ3904

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 40V 0.2A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: 250MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MPQ3906

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 40V 0.2A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ6002

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 30V 0.5A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
• 전력-최대: 650mW
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ6100A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 45V

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: 3W
• 주파수-전환: 50MHz
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ6502

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 30V 0.5A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
• 전력-최대: 650mW
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MPQ6700

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 40V 0.2A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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MPQ7043

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 250V 0.5A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
• 전력-최대: 1.25W
• 주파수-전환: 50MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MPQ7053

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2mA, 20mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 전력-최대: 750mW
• 주파수-전환: 50MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MPQ7093

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 250V 0.5A

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 전력-최대: 750mW
• 주파수-전환: 50MHz
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: TO-116

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NCV1413BDR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 전력-최대: -
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 16-SOIC

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NJX1675PDR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN, PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
• 전력-최대: 2W
• 주파수-전환: 100MHz, 120MHz
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC

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NMB2227AF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NMB2227A/SOT457/SC-74

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 트랜지스터 유형: NPN, PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 300mW
• 주파수-전환: 300MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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NMB2227AH

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NMB2227A/SOT457/SC-74

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 트랜지스터 유형: NPN, PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 300mW
• 주파수-전환: 300MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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