트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SBC847BDW1T3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음2,484
SBC847BPDW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음150,732
SBC847BPDW1T3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음83,814
SBC847BPDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 357mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음30,498
SBC847CDW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음49,134
SBC847CDXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,496
SBC856BDW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음175,416
SBC856BDW1T3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음3,978
SBC857BDW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음588,900
SBC857CDW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음214,794
SCH2202-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 15V 0.6A 6SCH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: 330MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-SCH	재고 있음8,982
SG2003J Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-CDIP	재고 있음5,112
SG2003J-883B Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-CDIP	재고 있음5,922
SG2003J-JAN Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-CDIP	재고 있음6,444
SG2013J-883B Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 16-CDIP	재고 있음28,074
SG2023J-883B Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16JDIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 95V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 16-CDIP	재고 있음51
SG2023J-DESC Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 95V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-CDIP	재고 있음8,784
SG2803J-883B Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 18-CDIP	재고 있음3,598
SG2803J-DESC Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 18-CDIP	재고 있음6,282
SG2823J Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 95V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 18-CDIP	재고 있음5,796
SG2823J-883B Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 95V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 18-CDIP	재고 있음7,884
SG2823J-DESC Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 95V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 18-CDIP	재고 있음2,520
SHN1B01FDW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 2µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 380mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SC-74	재고 있음5,364
SLA4030 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 100V 4A 12SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음5,364
SLA4031 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 120V 4A 12SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음2,502
SLA4036 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 120V 2A 12SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 공급자 장치 패키지: 15-ZIP	재고 있음8,154
SLA4041 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 200V 3A 12SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 1.5A, 4V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음6,804
SLA4051 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 9NPN DARL 120V 2A 21SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 9 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 21-SSIP 공급자 장치 패키지: 21-SIP w/fin	재고 있음2,952
SLA4052 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 9NPN DARL 120V 3A 21SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 9 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 21-SSIP 공급자 장치 패키지: 21-SIP w/fin	재고 있음5,706
SLA4060 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 120V 5A 12SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음6,156

SBC847BDW1T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음2,484

SBC847BPDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음150,732

SBC847BPDW1T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음83,814

SBC847BPDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 357mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음30,498

SBC847CDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음49,134

SBC847CDXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,496

SBC856BDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음175,416

SBC856BDW1T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음3,978

SBC857BDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음588,900

SBC857CDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음214,794

SCH2202-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 15V 0.6A 6SCH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: 330MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-SCH

재고 있음8,982

SG2003J

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-CDIP

재고 있음5,112

SG2003J-883B

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-CDIP

재고 있음5,922

SG2003J-JAN

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-CDIP

재고 있음6,444

SG2013J-883B

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 16-CDIP

재고 있음28,074

SG2023J-883B

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16JDIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 95V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 16-CDIP

재고 있음51

SG2023J-DESC

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 95V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-CDIP

재고 있음8,784

SG2803J-883B

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 18-CDIP

재고 있음3,598

SG2803J-DESC

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 18-CDIP

재고 있음6,282

SG2823J

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 95V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 18-CDIP

재고 있음5,796

SG2823J-883B

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 95V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 18-CDIP

재고 있음7,884

SG2823J-DESC

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 95V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 18-CDIP

재고 있음2,520

SHN1B01FDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 2µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 380mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SC-74

재고 있음5,364

SLA4030

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 100V 4A 12SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음5,364

SLA4031

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 120V 4A 12SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음2,502

SLA4036

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 120V 2A 12SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
공급자 장치 패키지: 15-ZIP

재고 있음8,154

SLA4041

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 200V 3A 12SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 1.5A, 4V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음6,804

SLA4051

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 9NPN DARL 120V 2A 21SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 9 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 21-SSIP
공급자 장치 패키지: 21-SIP w/fin

재고 있음2,952

SLA4052

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 9NPN DARL 120V 3A 21SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 9 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 21-SSIP
공급자 장치 패키지: 21-SIP w/fin

재고 있음5,706

SLA4060

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 120V 5A 12SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음6,156

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