Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

트랜지스터

기록 64,903
페이지 36/2164
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
SMBT3906SH6327XTSA1
SMBT3906SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 330mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6
재고 있음4,536
SMBT3906UE6327HTSA1
SMBT3906UE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC74-6

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 330mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
  • 공급자 장치 패키지: PG-SC74-6
재고 있음7,524
SMBT3946DW1T1G
SMBT3946DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 300MHz, 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363
재고 있음79,320
SMBTA06UPNE6327HTSA1
SMBTA06UPNE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 80V 0.5A SC-74

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 330mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
  • 공급자 장치 패키지: PG-SC74-6
재고 있음74,268
SMUN5111DW1T1G
SMUN5111DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT363

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300nA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • 전력-최대: 385mW
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363
재고 있음5,940
SN75468D
SN75468D

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음32,772
SN75468DE4
SN75468DE4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음4,932
SN75468DR
SN75468DR

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음60,816
SN75468N
SN75468N

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 16-PDIP
재고 있음32,118
SN75468NG4
SN75468NG4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 16-PDIP
재고 있음2,754
SN75468NSR
SN75468NSR

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SO
재고 있음17,598
SN75468NSRG4
SN75468NSRG4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SO
재고 있음4,986
SN75469D
SN75469D

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음3,798
SN75469DR
SN75469DR

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SOIC

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음8,100
SN75469N
SN75469N

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 16-PDIP
재고 있음14,916
SNST3904DXV6T5G
SNST3904DXV6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음3,546
SSM2212CPZ-R7
SSM2212CPZ-R7

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.02A 16WLCSP

  • 제조업체: Analog Devices Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 15V
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-WFQFN Exposed Pad, CSP
  • 공급자 장치 패키지: 16-LFCSP-WQ (3x3)
재고 있음7,704
SSM2212CPZ-RL
SSM2212CPZ-RL

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.02A 16WLCSP

  • 제조업체: Analog Devices Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 15V
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-WFQFN Exposed Pad, CSP
  • 공급자 장치 패키지: 16-LFCSP-WQ (3x3)
재고 있음4,932
SSM2212RZ
SSM2212RZ

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC

  • 제조업체: Analog Devices Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500pA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음11,028
SSM2212RZ-R7
SSM2212RZ-R7

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC

  • 제조업체: Analog Devices Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500pA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음49,680
SSM2212RZ-RL
SSM2212RZ-RL

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC

  • 제조업체: Analog Devices Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500pA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,128
SSM2220PZ
SSM2220PZ

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 36V 0.02A 8DIP

  • 제조업체: Analog Devices Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: 190MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음5,580
SSM2220S
SSM2220S

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC

  • 제조업체: Analog Devices Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: 190MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음6,156
SSM2220SZ
SSM2220SZ

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC

  • 제조업체: Analog Devices Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 36V
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음6,228
SSM2220SZ-REEL
SSM2220SZ-REEL

Analog Devices

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC

  • 제조업체: Analog Devices Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 36V
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음5,148
SSM6G18NU,LF
SSM6G18NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH + SBD V

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음45,894
SSVBC846BPDW1T1G
SSVBC846BPDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 65V SOT363

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363
재고 있음79,440
STA301A
STA301A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 3NPN DARL 60V 4A 8-SIP

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 3 NPN Darlington (Emitter Coupled)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
  • 전력-최대: 3W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-SIP
  • 공급자 장치 패키지: 8-SIP
재고 있음8,712
STA302A
STA302A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 3PNP DARL 50V 4A 8SIP

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 3 PNP Darlington (Emitter Coupled)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
  • 전력-최대: 3W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-SIP
  • 공급자 장치 패키지: 8-SIP
재고 있음26,802
STA303A
STA303A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 3NPN DARL 100V 4A 8-SIP

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 3 NPN Darlington (Emitter Coupled)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 4V
  • 전력-최대: 3W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-SIP
  • 공급자 장치 패키지: 8-SIP
재고 있음21,252