트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
STA322A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 3PNP 50V 3A 8STA 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 3 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 40mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 4V 전력-최대: 3W, 15W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-SIP 공급자 장치 패키지: 8-SIP	재고 있음5,544
STA401A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 60V 4A 10SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음25,302
STA402A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP DARL 50V 4A 10-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 PNP Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음30,918
STA403A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 100V 4A SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100V @ 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음24,096
STA404A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 200V 3A 10-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 1.5mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음22,560
STA406A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 60V 6A 10-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음29,394
STA408A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP DARL 120V 4A 10-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 PNP Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음14,928
STA412A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 60V 3A 10-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음20,724
STA413A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 35V 3A 10-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음14,112
STA421A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP 60V 3A 10-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음5,814
STA431A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN/2PNP 60V 3A 10SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음6,012
STA434A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음16,200
STA457C Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음7,920
STA460C Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN DARL 60V 6A 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN Darlington (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 15mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 700 @ 1A, 1V 전력-최대: 3.2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음6,930
STA471A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 60V 2A 10SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음13,608
STA472A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP DARL 60V 2A 10-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 PNP Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음6,192
STA473A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 100V 2A 10-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음6,462
STA475A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 100V 2A 10SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음7,752
STA481A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 60V 1A 10SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음6,396
STA485A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 100V 1A 10-SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 4V 전력-최대: 4W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-SIP 공급자 장치 패키지: 10-SIP	재고 있음6,540
STD815CP40 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V 전력-최대: 2.6W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음11,880
STD830CP40 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V 전력-최대: 3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음8,766
STD840DN40 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V 전력-최대: 3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음4,644
STD845DN40 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V 전력-최대: 3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음336
STS01DTP06 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,832
STS05DTP03 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 30V 5A 8SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 250mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,172
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 50V 6VS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)	재고 있음4,050
TPCP8701(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V 전력-최대: 1.77W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: PS-8	재고 있음4,284
TPCP8901(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A, 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.48W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: PS-8	재고 있음4,734
ULN2001A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음99,756

STA322A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 3PNP 50V 3A 8STA

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 3 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 40mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 4V
전력-최대: 3W, 15W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-SIP
공급자 장치 패키지: 8-SIP

재고 있음5,544

STA401A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 60V 4A 10SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음25,302

STA402A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP DARL 50V 4A 10-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 PNP Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음30,918

STA403A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 100V 4A SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100V @ 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음24,096

STA404A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 200V 3A 10-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 1.5mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음22,560

STA406A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 60V 6A 10-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음29,394

STA408A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP DARL 120V 4A 10-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 PNP Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음14,928

STA412A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 60V 3A 10-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음20,724

STA413A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 35V 3A 10-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음14,112

STA421A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 3A 10-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음5,814

STA431A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP 60V 3A 10SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음6,012

STA434A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음16,200

STA457C

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음7,920

STA460C

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN DARL 60V 6A

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN Darlington (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 15mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 700 @ 1A, 1V
전력-최대: 3.2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음6,930

STA471A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 60V 2A 10SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음13,608

STA472A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP DARL 60V 2A 10-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 PNP Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음6,192

STA473A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 100V 2A 10-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음6,462

STA475A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 100V 2A 10SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음7,752

STA481A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 60V 1A 10SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음6,396

STA485A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 100V 1A 10-SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 4V
전력-최대: 4W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-SIP
공급자 장치 패키지: 10-SIP

재고 있음6,540

STD815CP40

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V
전력-최대: 2.6W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음11,880

STD830CP40

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V
전력-최대: 3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음8,766

STD840DN40

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
전력-최대: 3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음4,644

STD845DN40

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V
전력-최대: 3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음336

STS01DTP06

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,832

STS05DTP03

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 30V 5A 8SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 250mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,172

TPC6901(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 6VS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)

재고 있음4,050

TPCP8701(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
전력-최대: 1.77W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: PS-8

재고 있음4,284

TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A, 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.48W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: PS-8

재고 있음4,734

ULN2001A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음99,756

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