트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ULN2004ADRE4 Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,474
ULN2004ADRG4 Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,472
ULN2004AFWG,N,E Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOL	재고 있음15,480
ULN2004AID Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음12,738
ULN2004AIDR Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,372
ULN2004AIN Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음24,198
ULN2004AINS Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음2,340
ULN2004AINSE4 Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음2,340
ULN2004AINSG4 Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음2,376
ULN2004AINSR Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음6,984
ULN2004AN Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음29,658
ULN2004ANG4 Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음5,274
ULN2004ANSR Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음3,978
ULN2004APG,C,N Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 1.47W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음7,632
ULN2004AS16-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음8,622
ULN2004D1013TR STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음324,168
ULN2064B STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)	재고 있음17,190
ULN2065B STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)	재고 있음16,836
ULN2066B STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)	재고 있음17,220
ULN2067B STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)	재고 있음4,950
ULN2068B STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)	재고 있음35,160
ULN2069B STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)	재고 있음18,372
ULN2074B STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)	재고 있음3,042
ULN2075B STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)	재고 있음21,960
ULN2801A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 2.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음19,224
ULN2802A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 2.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음12,336
ULN2803A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 2.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음158,694
ULN2803ADW Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 18-SOIC	재고 있음24,360
ULN2803ADWG4 Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 18-SOIC	재고 있음85,350
ULN2803ADWR Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 18-SOIC	재고 있음686,736

ULN2004ADRE4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음3,474

ULN2004ADRG4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음5,472

ULN2004AFWG,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOL

재고 있음15,480

ULN2004AID

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음12,738

ULN2004AIDR

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음6,372

ULN2004AIN

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음24,198

ULN2004AINS

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음2,340

ULN2004AINSE4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음2,340

ULN2004AINSG4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음2,376

ULN2004AINSR

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음6,984

ULN2004AN

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음29,658

ULN2004ANG4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음5,274

ULN2004ANSR

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음3,978

ULN2004APG,C,N

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 1.47W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음7,632

ULN2004AS16-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음8,622

ULN2004D1013TR

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음324,168

ULN2064B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)

재고 있음17,190

ULN2065B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)

재고 있음16,836

ULN2066B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)

재고 있음17,220

ULN2067B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)

재고 있음4,950

ULN2068B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)

재고 있음35,160

ULN2069B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)

재고 있음18,372

ULN2074B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)

재고 있음3,042

ULN2075B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN Darlington (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.75A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PowerDIP (20x7.10)

재고 있음21,960

ULN2801A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 2.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음19,224

ULN2802A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 2.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음12,336

ULN2803A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 2.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음158,694

ULN2803ADW

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 18-SOIC

재고 있음24,360

ULN2803ADWG4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 18-SOIC

재고 있음85,350

ULN2803ADWR

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 18-SOIC

재고 있음686,736

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