트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ULN2803ADWRG4 Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 18-SOIC	재고 있음222,204
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 1.31W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 18-SOL	재고 있음7,344
ULN2803AN Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-PDIP	재고 있음4,014
ULN2803ANG4 Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-PDIP	재고 있음3,726
ULN2803APG,CN Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 1.47W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음3,204
ULN2804A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 2.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음18,708
ULN2805A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 2.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음2,286
ULQ2001A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음8,460
ULQ2001D1013TR STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음4,194
ULQ2003A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음14,580
ULQ2003D1 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음7,128
ULQ2003D1013TR STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음59,064
ULQ2003D1013TRY STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: Automotive, AEC-Q100 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음130,152
ULQ2004A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.7V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-DIP	재고 있음10,920
ULQ2004D1013TR STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음45,870
ULQ2801A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 IC ARRAYS EIGHT DARL 18-DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 2.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음4,680
ULQ2802A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 2.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음8,550
ULQ2803A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 2.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음59,880
ULQ2804A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V 전력-최대: 2.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-DIP	재고 있음19,524
UMB10NFHATN Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음6,156
UMB2NFHATN Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음3,546
UMB3NFHATN Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음5,364
UMB4NFHATN Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음6,696
UMH3NFHATN Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음28,122
UML23NTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN + Zener Diode (Isolated) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음28,194
UML2N-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 DIODE 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: SOT-353	재고 있음8,622
UML6N-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 DIODE 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 120mW 주파수-전환: 320MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: SOT-353	재고 있음7,434
UMT18NTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음25,752
UMT1NTN Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음240,654
UMT1N-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A SOT363 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음87,234

ULN2803ADWRG4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 18-SOIC

재고 있음222,204

ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 1.31W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 18-SOL

재고 있음7,344

ULN2803AN

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-PDIP

재고 있음4,014

ULN2803ANG4

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-PDIP

재고 있음3,726

ULN2803APG,CN

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 1.47W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음3,204

ULN2804A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 2.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음18,708

ULN2805A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 2.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음2,286

ULQ2001A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음8,460

ULQ2001D1013TR

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음4,194

ULQ2003A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음14,580

ULQ2003D1

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음7,128

ULQ2003D1013TR

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음59,064

ULQ2003D1013TRY

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: Automotive, AEC-Q100
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음130,152

ULQ2004A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.7V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-DIP

재고 있음10,920

ULQ2004D1013TR

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO

재고 있음45,870

ULQ2801A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

IC ARRAYS EIGHT DARL 18-DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 2.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음4,680

ULQ2802A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 2.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음8,550

ULQ2803A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 2.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음59,880

ULQ2804A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: 8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
전력-최대: 2.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-DIP

재고 있음19,524

UMB10NFHATN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음6,156

UMB2NFHATN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음3,546

UMB3NFHATN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음5,364

UMB4NFHATN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음6,696

UMH3NFHATN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음28,122

UML23NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN + Zener Diode (Isolated)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음28,194

UML2N-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

DIODE

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: SOT-353

재고 있음8,622

UML6N-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

DIODE

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 120mW
주파수-전환: 320MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: SOT-353

재고 있음7,434

UMT18NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음25,752

UMT1NTN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음240,654

UMT1N-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A SOT363

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음87,234

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