트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CP647-CEN1103-WN Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARLINGTON DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,598
CP647-CEN1103-WS Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARLINGTON DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,478
CP647-MJ11013-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30A 90V DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,202
CP647-MJ11013-WS Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30A 90V DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음6,084
CP647-MJ11015-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30A 120V DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음7,344
CP647-MJ11015-CTJ28 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30A 120V DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,644
CP647-MJ11015-WN Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30A 120V DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,622
CP647-MJ11015-WR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30A 120V DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,564
CP647-PMD19K100-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30A 100V DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 60mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 15A, 3V 전력-최대: - 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,604
CP647-PMD19K100-WN Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30A 100V DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 60mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 15A, 3V 전력-최대: - 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,076
CP647-PMD19K100-WS Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30A 100V DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 60mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 15A, 3V 전력-최대: - 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음6,444
CP692-MPS4992-CM Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANSISTOR NPN BIDIRECT 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,552
CP692-MPS4992-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANSISTOR NPN BIDIRECT 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,910
CP692-MPS4992-WN Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANSISTOR NPN BIDIRECT 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,338
CP710-CMPTA96-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP HIGH VOLTAGE DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음7,902
CP710V-CMPTA96-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 450V DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음7,992
CP710V-MPSA92-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP HV CHIP FORM 1=400 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V 전력-최대: - 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,384
CP710V-MPSA92-CT20 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 1=20PCS 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V 전력-최대: - 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음7,254
CP736V-2N5401-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 600MA CHIP 1=400 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,676
CP736V-2N5401-CT20 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 1=20PCS 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,662
CP788X-2N5087-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP LNA CHIP FORM 1=400 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음7,506
CP788X-2N5087-CT20 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 1=20PCS 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,788
CPH3101-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 2A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음8,802
CPH3105-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 380MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음2,484
CPH3106-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 165mV @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음6,876
CPH3107-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 6A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 60mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음4,302
CPH3109-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 230mV @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 380MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음7,128
CPH3114-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 1.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 15mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 350MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음3,546
CPH3115-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 1.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 450MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음6,390
CPH3115-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 1.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 450MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음5,346

CP647-CEN1103-WN

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARLINGTON DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,598

CP647-CEN1103-WS

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARLINGTON DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,478

CP647-MJ11013-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30A 90V DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,202

CP647-MJ11013-WS

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30A 90V DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음6,084

CP647-MJ11015-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30A 120V DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음7,344

CP647-MJ11015-CTJ28

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30A 120V DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,644

CP647-MJ11015-WN

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30A 120V DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,622

CP647-MJ11015-WR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30A 120V DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30A, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,564

CP647-PMD19K100-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30A 100V DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 60mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 15A, 3V
전력-최대: -
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,604

CP647-PMD19K100-WN

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30A 100V DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 60mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 15A, 3V
전력-최대: -
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,076

CP647-PMD19K100-WS

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30A 100V DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 60mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 15A, 3V
전력-최대: -
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음6,444

CP692-MPS4992-CM

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANSISTOR NPN BIDIRECT

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,552

CP692-MPS4992-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANSISTOR NPN BIDIRECT

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,910

CP692-MPS4992-WN

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANSISTOR NPN BIDIRECT

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,338

CP710-CMPTA96-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP HIGH VOLTAGE DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음7,902

CP710V-CMPTA96-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 450V DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음7,992

CP710V-MPSA92-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP HV CHIP FORM 1=400

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
전력-최대: -
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,384

CP710V-MPSA92-CT20

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 1=20PCS

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
전력-최대: -
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음7,254

CP736V-2N5401-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 600MA CHIP 1=400

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,676

CP736V-2N5401-CT20

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 1=20PCS

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,662

CP788X-2N5087-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP LNA CHIP FORM 1=400

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음7,506

CP788X-2N5087-CT20

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 1=20PCS

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,788

CPH3101-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 2A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음8,802

CPH3105-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 380MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음2,484

CPH3106-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 165mV @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음6,876

CPH3107-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 6A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 60mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음4,302

CPH3109-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 230mV @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 380MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음7,128

CPH3114-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 1.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 15mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 350MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음3,546

CPH3115-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 450MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음6,390

CPH3115-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 450MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음5,346

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