트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MUN2234T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 338mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음149,610
MUN2235T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 230mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SC-59-3	재고 있음7,434
MUN2236T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 338mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음7,884
MUN2236T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 338mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음5,508
MUN2237T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 338mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음3,580
MUN2238T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 230mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SC-59-3	재고 있음2,538
MUN2240T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 338mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음5,832
MUN2241T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 338mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음7,326
MUN2241T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 338mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음7,290
MUN5111T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음788,742
MUN5112T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음146,178
MUN5113T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음5,562
MUN5113T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음147,912
MUN5113T3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음6,498
MUN5114T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음7,686
MUN5114T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음114,312
MUN5115T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음7,434
MUN5115T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음2,574
MUN5116T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음6,786
MUN5116T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음7,506
MUN5130T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음4,590
MUN5131T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음8,370
MUN5131T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음8,730
MUN5132T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음102,918
MUN5133T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음265,914
MUN5134T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음5,940
MUN5135T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음6,588
MUN5135T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음3,816
MUN5136T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음3,600
MUN5136T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음5,292

MUN2234T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 338mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음149,610

MUN2235T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 230mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SC-59-3

재고 있음7,434

MUN2236T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 338mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음7,884

MUN2236T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 338mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음5,508

MUN2237T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 338mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음3,580

MUN2238T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 230mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SC-59-3

재고 있음2,538

MUN2240T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 338mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음5,832

MUN2241T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 338mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음7,326

MUN2241T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 338mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음7,290

MUN5111T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음788,742

MUN5112T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음146,178

MUN5113T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음5,562

MUN5113T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음147,912

MUN5113T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음6,498

MUN5114T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음7,686

MUN5114T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음114,312

MUN5115T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음7,434

MUN5115T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음2,574

MUN5116T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음6,786

MUN5116T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음7,506

MUN5130T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음4,590

MUN5131T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음8,370

MUN5131T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음8,730

MUN5132T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음102,918

MUN5133T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음265,914

MUN5134T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음5,940

MUN5135T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음6,588

MUN5135T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음3,816

MUN5136T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음3,600

MUN5136T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음5,292

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