트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MUN5241T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 202mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음5,040
NSB9435T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 110MHz 전력-최대: 720mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음4,536
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음7,128
NSBA114EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음7,488
NSBA114TF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음3,312
NSBA114YF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음7,560
NSBA115TF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음6,858
NSBA123EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음5,112
NSBA123JF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음3,924
NSBA123TF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음4,068
NSBA124EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음5,850
NSBA124XF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음3,672
NSBA143EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음3,132
NSBA143TF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음7,578
NSBA143ZF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음3,150
NSBA144EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음7,794
NSBA144TF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음4,194
NSBA144WF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음2,880
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음3,834
NSBC114EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음3,096
NSBC114TF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음3,366
NSBC114YF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음8,532
NSBC115TF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음4,374
NSBC123EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음2,826
NSBC123JF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음4,014
NSBC123TF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음3,942
NSBC124EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음7,344
NSBC124XF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음8,910
NSBC143EF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음8,730
NSBC143TF3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 254mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: SOT-1123	재고 있음6,534

MUN5241T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 202mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음5,040

NSB9435T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 110MHz
전력-최대: 720mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음4,536

NSBA113EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음7,128

NSBA114EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음7,488

NSBA114TF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음3,312

NSBA114YF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음7,560

NSBA115TF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음6,858

NSBA123EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음5,112

NSBA123JF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음3,924

NSBA123TF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음4,068

NSBA124EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음5,850

NSBA124XF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음3,672

NSBA143EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음3,132

NSBA143TF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음7,578

NSBA143ZF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음3,150

NSBA144EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음7,794

NSBA144TF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음4,194

NSBA144WF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음2,880

NSBC113EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음3,834

NSBC114EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음3,096

NSBC114TF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음3,366

NSBC114YF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음8,532

NSBC115TF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음4,374

NSBC123EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음2,826

NSBC123JF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음4,014

NSBC123TF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음3,942

NSBC124EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음7,344

NSBC124XF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음8,910

NSBC143EF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음8,730

NSBC143TF3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 254mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: SOT-1123

재고 있음6,534

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