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트랜지스터

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부품 번호
설명
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MUN5137T1
MUN5137T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음7,200
MUN5137T1G
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ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음2,232
MUN5138T1G
MUN5138T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음5,436
MUN5140T1G
MUN5140T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음5,094
MUN5141T1G
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ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 202MW

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음6,480
MUN5211T1G
MUN5211T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음1,319,220
MUN5212T1G
MUN5212T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음106,890
MUN5213T1G
MUN5213T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음259,164
MUN5214T1
MUN5214T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음6,462
MUN5214T1G
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ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음220,002
MUN5215T1
MUN5215T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음3,438
MUN5215T1G
MUN5215T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음6,678
MUN5216T1
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ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음8,784
MUN5216T1G
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ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음85,764
MUN5230T1G
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ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음56,562
MUN5231T1
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ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음2,088
MUN5231T1G
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ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음118,830
MUN5232T1
MUN5232T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음4,104
MUN5232T1G
MUN5232T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음2,070
MUN5233T1G
MUN5233T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음90,696
MUN5234T1
MUN5234T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음3,744
MUN5234T1G
MUN5234T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음3,490
MUN5235T1
MUN5235T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음8,874
MUN5235T1G
MUN5235T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음146,922
MUN5236T1
MUN5236T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음7,074
MUN5236T1G
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ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음7,308
MUN5237T1
MUN5237T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음5,976
MUN5237T1G
MUN5237T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음5,166
MUN5238T1G
MUN5238T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음7,830
MUN5240T1G
MUN5240T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 202mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
재고 있음8,874