트랜지스터

RN1421TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 300MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

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RN1422TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 300MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

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RN1423TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 300MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

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RN1424TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 300MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

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RN1425TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 470 Ohms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 300MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

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RN1426TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 300MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

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RN1427TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 300MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

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RN1441ATE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 5.6 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 30MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

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RN1442ATE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 30MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

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RN1444ATE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: 30MHz
• 전력-최대: 200mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

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RN2101ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

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RN2101CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 50mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

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RN2101,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2102CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 50mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2102,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

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RN2103ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2103CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 50mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

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RN2103,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOHM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• 저항-베이스 (R1): -
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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RN2103MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 150mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: VESM

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RN2103(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2104ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2104CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 50mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

RN2104,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOHM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• 저항-베이스 (R1): -
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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RN2104MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 250MHz
• 전력-최대: 150mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: VESM

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RN2104(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: 200MHz
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
• 공급자 장치 패키지: SSM

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RN2105ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 100mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

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RN2105CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
• 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 50mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
• 공급자 장치 패키지: CST3

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RN2105,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KOHM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• 저항-베이스 (R1): -
• 저항-이미 터베이스 (R2): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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RN2105MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
• 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• 주파수-전환: -
• 전력-최대: 150mW
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-723
• 공급자 장치 패키지: VESM

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