Texas Instruments 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
제조업체
기록 63
페이지 3/3
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | FET 유형 | FET 기능 | 드레인-소스 전압 (Vdss) | 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 전력-최대 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 공급자 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Texas Instruments |
MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA |
8,010 |
|
NexFET™ | 2 P-Channel (Dual) | Logic Level Gate | - | 3A | - | 900mV @ 250µA | 3.9nC @ 4.5V | 410pF @ 10V | 700mW | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 9-UFBGA, DSBGA | 9-DSBGA |
|
|
|
Texas Instruments |
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA |
4,068 |
|
NexFET™ | 2 P-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 1.2A | 120mOhm @ 1A, 4.5V | 850mV @ 250µA | 2.2nC @ 4.5V | 265pF @ 10V | 750mW | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA, DSBGA | 6-DSBGA (1x1.5) |
|
|
|
Texas Instruments |
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA |
8,028 |
|
NexFET™ | 2 P-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 4.5A | 40mOhm @ 2A, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 5.9nC @ 4.5V | 600pF @ 10V | 1.5W | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 12-UFBGA, DSBGA | 12-DSBGA |