Toshiba Semiconductor and Storage 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
기록 786
페이지 27/27
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | FET 유형 | 기술 | 드레인-소스 전압 (Vdss) | 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | Vgs (최대) | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | FET 기능 | 전력 손실 (최대) | 작동 온도 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 패키지 / 케이스 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH |
8,730 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-92MOD | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
|
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH |
4,590 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-92MOD | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
|
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH |
4,680 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-92MOD | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
|
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH |
3,510 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-92MOD | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
|
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD |
5,202 |
|
U-MOSIII | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60V | 5A (Ta) | 4V, 10V | 170mOhm @ 2.5A, 10V | 2V @ 1mA | 15nC @ 10V | ±20V | 700pF @ 10V | - | 20W (Tc) | 150°C | Surface Mount | PW-MOLD | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
|
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage |
X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST |
2,610 |
|
- | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20V | 180mA (Ta) | 1.2V, 4V | 3Ohm @ 50mA, 4V | 1V @ 1mA | - | ±10V | 9.5pF @ 3V | - | 150mW (Ta) | 150°C | Surface Mount | VESM | SOT-723 |