트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDMD8260L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5245pF @ 30V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 12-Power3.3x5	재고 있음7,290
FDMD8260LET60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 15A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5245pF @ 30V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 12-Power3.3x5	재고 있음6,912
FDMD8280 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3050pF @ 40V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 12-Power3.3x5	재고 있음2,646
FDMD84100 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 980pF @ 50V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power 3.3x5	재고 있음26,442
FDMD8430 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 FET ENGR DEV-NOT REL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 95A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.12mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5035pF @ 15V 전력-최대: 2.1W (Ta), 29W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x5)	재고 있음4,014
FDMD8440L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 FET ENGR DEV-NOT REL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 87A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 20V 전력-최대: 2.1W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power 3.3x5	재고 있음7,920
FDMD85100 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 10.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2230pF @ 50V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6	재고 있음6,066
FDMD8530 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 35A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 149nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10395pF @ 15V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음24,390
FDMD8540L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A, 156A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 113nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7940pF @ 20V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6	재고 있음3,996
FDMD8560L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, 93A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11130pF @ 30V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6	재고 있음6,678
FDMD8580 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 80V 16A POWER 5X6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 82A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5875pF @ 40V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음3,400
FDMD86100 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 50V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6	재고 있음2,466
FDMD8630 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta), 167A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 142nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9930pF @ 15V 전력-최대: 2.3W (Ta), 43W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6	재고 있음2,736
FDMD8680 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5330pF @ 40V 전력-최대: 39W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6	재고 있음7,884
FDMD8900 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V POWER 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2605pF @ 15V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 12-Power3.3x5	재고 있음3,798
FDME1023PZT ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6)	재고 있음36,402
FDME1024NZT ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6)	재고 있음775
FDME1034CZT ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6)	재고 있음104,928
FDMJ1023PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: SC-75, MicroFET	재고 있음7,704
FDMJ1028N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)	재고 있음6,012
FDMJ1032C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: SC-75, MicroFET	재고 있음8,172
FDML7610S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 15V 전력-최대: 800mW, 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x4.5)	재고 있음4,014
FDMQ8203 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: GreenBridge™ PowerTrench® FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 50V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-MLP (5x4.5)	재고 있음26,676
FDMQ8403 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: GreenBridge™ PowerTrench® FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 215pF @ 15V 전력-최대: 1.9W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-MLP (5x4.5)	재고 있음2,232
FDMQ86530L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: GreenBridge™ PowerTrench® FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2295pF @ 30V 전력-최대: 1.9W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 12-MLP (5x4.5)	재고 있음21,660
FDMS001N025DSD ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 FET 25V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,034
FDMS1D2N03DSD ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 PT11N 30/12 & PT11N 30/12 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V, 117nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V 전력-최대: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)	재고 있음3,546
FDMS3600AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 13V 전력-최대: 2.2W, 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음8,172
FDMS3600S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 13V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음5,868
FDMS3602AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 26A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 13V 전력-최대: 2.2W, 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음6,426

FDMD8260L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5245pF @ 30V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 12-Power3.3x5

재고 있음7,290

FDMD8260LET60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 15A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5245pF @ 30V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 12-Power3.3x5

재고 있음6,912

FDMD8280

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3050pF @ 40V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 12-Power3.3x5

재고 있음2,646

FDMD84100

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 980pF @ 50V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power 3.3x5

재고 있음26,442

FDMD8430

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

FET ENGR DEV-NOT REL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.12mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5035pF @ 15V
전력-최대: 2.1W (Ta), 29W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x5)

재고 있음4,014

FDMD8440L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

FET ENGR DEV-NOT REL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 20V
전력-최대: 2.1W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power 3.3x5

재고 있음7,920

FDMD85100

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2230pF @ 50V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6

재고 있음6,066

FDMD8530

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 35A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 149nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10395pF @ 15V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음24,390

FDMD8540L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A, 156A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 113nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7940pF @ 20V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6

재고 있음3,996

FDMD8560L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, 93A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11130pF @ 30V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6

재고 있음6,678

FDMD8580

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 80V 16A POWER 5X6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5875pF @ 40V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음3,400

FDMD86100

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 50V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6

재고 있음2,466

FDMD8630

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta), 167A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 142nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9930pF @ 15V
전력-최대: 2.3W (Ta), 43W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6

재고 있음2,736

FDMD8680

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5330pF @ 40V
전력-최대: 39W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-Power 5x6

재고 있음7,884

FDMD8900

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V POWER

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2605pF @ 15V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 12-Power3.3x5

재고 있음3,798

FDME1023PZT

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6)

재고 있음36,402

FDME1024NZT

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6)

재고 있음775

FDME1034CZT

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6)

재고 있음104,928

FDMJ1023PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: SC-75, MicroFET

재고 있음7,704

FDMJ1028N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)

재고 있음6,012

FDMJ1032C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: SC-75, MicroFET

재고 있음8,172

FDML7610S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 15V
전력-최대: 800mW, 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-MLP (3x4.5)

재고 있음4,014

FDMQ8203

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: GreenBridge™ PowerTrench®
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 50V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 12-MLP (5x4.5)

재고 있음26,676

FDMQ8403

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: GreenBridge™ PowerTrench®
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 215pF @ 15V
전력-최대: 1.9W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 12-MLP (5x4.5)

재고 있음2,232

FDMQ86530L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: GreenBridge™ PowerTrench®
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2295pF @ 30V
전력-최대: 1.9W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 12-MLP (5x4.5)

재고 있음21,660

FDMS001N025DSD

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

FET 25V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,034

FDMS1D2N03DSD

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

PT11N 30/12 & PT11N 30/12

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
전력-최대: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)

재고 있음3,546

FDMS3600AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 13V
전력-최대: 2.2W, 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음8,172

FDMS3600S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 13V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음5,868

FDMS3602AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 26A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 13V
전력-최대: 2.2W, 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음6,426

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