트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF6S21060NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.12GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 610mA 전원-출력: 14W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음2,844
MRF6S21100HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 23W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음2,646
MRF6S21100HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 23W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음4,482
MRF6S21100HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 23W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,300
MRF6S21100HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 23W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,436
MRF6S21100MBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.16GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.05A 전원-출력: 23W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272-4 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음4,086
MRF6S21100MR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.16GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.05A 전원-출력: 23W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270-4 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음2,070
MRF6S21100NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.16GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.05A 전원-출력: 23W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음4,284
MRF6S21100NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.16GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.05A 전원-출력: 23W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음5,130
MRF6S21140HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.12GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 30W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음5,598
MRF6S21140HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.12GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 30W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음3,420
MRF6S21140HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.12GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 30W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음2,124
MRF6S21140HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.12GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 30W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음3,798
MRF6S21190HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ NI880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 54W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음3,510
MRF6S21190HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ NI880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 54W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음5,166
MRF6S21190HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ NI880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 54W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음2,376
MRF6S21190HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ NI880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 54W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음6,822
MRF6S23100HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.4GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.4GHz 이득: 15.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 20W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음3,580
MRF6S23100HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.4GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.4GHz 이득: 15.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 20W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,506
MRF6S23100HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.4GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.4GHz 이득: 15.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 20W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음5,796
MRF6S23100HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.4GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.4GHz 이득: 15.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 20W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,442
MRF6S23140HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 28W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음166
MRF6S23140HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 28W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음4,356
MRF6S23140HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 28W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음8,046
MRF6S23140HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 28W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음3,400
MRF6S24140HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 28W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음5,472
MRF6S24140HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 28W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음5,472
MRF6S24140HS NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 28W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음5,058
MRF6S24140HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-88OS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 28W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음3,400
MRF6S24140HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 28W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음8,568

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