AON5816
참조 용
| 부품 번호 | AON5816 |
| PNEDA 부품 번호 | AON5816 |
| 설명 | MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 12A 6DFN |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,660 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON5816 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON5816 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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AON5816 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 12A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2170pF @ 10V |
| 전력-최대 | 1.7W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-DFN-EP (2x5) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1063pF @ 30V 전력-최대 1.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
제조업체 IXYS 시리즈 TrenchMV™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 165nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7700pF @ 25V 전력-최대 150W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUSi5-Pak™ |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1415pF @ 15V 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 V-DFN3030-8 (Type J) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.6W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지 EFCP1616-4CE-022 |
