CJ3139KDW-G
참조 용
| 부품 번호 | CJ3139KDW-G |
| PNEDA 부품 번호 | CJ3139KDW-G |
| 설명 | MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363 |
| 제조업체 | Comchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 55,578 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CJ3139KDW-G 리소스
| 브랜드 | Comchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CJ3139KDW-G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CJ3139KDW-G 사양
| 제조업체 | Comchip Technology |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 660mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 170pF @ 16V |
| 전력-최대 | 150mW |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-363 |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Cascoded) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 3000Ohm @ 2mA, 2.8V Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V 전력-최대 350mW 작동 온도 -25°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VFLGA 공급자 장치 패키지 6-LFGA (3x3) |
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