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FDJ1028N

FDJ1028N

참조 용

부품 번호 FDJ1028N
PNEDA 부품 번호 FDJ1028N
설명 MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDJ1028N 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDJ1028N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDJ1028N, FDJ1028N 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 1,616.99 KB)
PDFFDJ1028N 데이터 시트 표지
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FDJ1028N 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds200pF @ 10V
전력-최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC75-6 FLMP
공급자 장치 패키지SC75-6 FLMP

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2890pF @ 25V

전력-최대

50W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-4

ALD114804SCL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®

FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Depletion Mode

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (최대) @ Id

360mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

BUK9K89-100E,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1108pF @ 25V

전력-최대

38W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

SH8M12TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

APTM50DUM19G

Microsemi

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

163A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22.5mOhm @ 81.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

492nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22400pF @ 25V

전력-최대

1136W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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