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GWM220-004P3-SMD

GWM220-004P3-SMD

참조 용

부품 번호 GWM220-004P3-SMD
PNEDA 부품 번호 GWM220-004P3-SMD
설명 MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GWM220-004P3-SMD 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM220-004P3-SMD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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GWM220-004P3-SMD 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs94nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 40V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2250pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-SOIC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

128pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

SC-88FL/MCPH6

DMN5L06VAK-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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