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MRFG35003ANR5

MRFG35003ANR5

참조 용

부품 번호 MRFG35003ANR5
PNEDA 부품 번호 MRFG35003ANR5
설명 FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,842
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFG35003ANR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFG35003ANR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFG35003ANR5, MRFG35003ANR5 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 164.97 KB)
PDFMRFG35003ANR5 데이터 시트 표지
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MRFG35003ANR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수3.55GHz
이득10.8dB
전압-테스트12V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트55mA
전원-출력3W
전압-정격15V
패키지 / 케이스PLD-1.5
공급자 장치 패키지PLD-1.5

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제조업체

NXP USA Inc.

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LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-360

공급자 장치 패키지

NI-360

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

27dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

TO-270BB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4 Gull

2SK3476(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

11.4dB

전압-테스트

7.2V

전류 정격 (Amps)

3A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-271AA

공급자 장치 패키지

PW-X

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

500W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

175MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

50W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

TO-272AA

공급자 장치 패키지

TO-272-6

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