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NTD5C668NLT4G

NTD5C668NLT4G

참조 용

부품 번호 NTD5C668NLT4G
PNEDA 부품 번호 NTD5C668NLT4G
설명 T6 60V LL DPAK
제조업체 ON Semiconductor
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NTD5C668NLT4G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTD5C668NLT4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • NTD5C668NLT4G Distributor

NTD5C668NLT4G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK (SINGLE GAUGE)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A, 7.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

720pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SLA5085

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

5 N-Channel, Common Source

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 3A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

전력-최대

5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

12-SIP

공급자 장치 패키지

12-SIP w/fin

DMN3033LSDQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

725pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI4200DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

415pF @ 13V

전력-최대

2.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

ZXMHC3A01N8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.17A, 1.64A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 25V

전력-최대

870mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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