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SI7842DP-T1-E3

SI7842DP-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI7842DP-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI7842DP-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI7842DP-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7842DP-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI7842DP-T1-E3, SI7842DP-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 129.39 KB)
PDFSI7842DP-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI7842DP-T1-E3 Distributor

SI7842DP-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈LITTLE FOOT®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8 Dual

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

219A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 30mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

483nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8400pF @ 1000V

전력-최대

925W

작동 온도

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패키지 / 케이스

SP6

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 11µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

282pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

FDC6327C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A, 1.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

VEC2616-TL-W

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A, 2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

505pF @ 20V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

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178nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10500pF @ 25V

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