SQJ910AEP-T1_GE3
참조 용
| 부품 번호 | SQJ910AEP-T1_GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SQJ910AEP-T1_GE3 |
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,462 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SQJ910AEP-T1_GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SQJ910AEP-T1_GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SQJ910AEP-T1_GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1869pF @ 15V |
| 전력-최대 | 48W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchPLUS FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 65V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 32.8mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1180pF @ 25V 전력-최대 3.57W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 20-SO |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A, 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 80pF @ 10V, 150pF @ 10V 전력-최대 1W 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 TUMT6 |
