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SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

참조 용

부품 번호 SQJ910AEP-T1_GE3
PNEDA 부품 번호 SQJ910AEP-T1_GE3
설명 MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 6,462
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SQJ910AEP-T1_GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SQJ910AEP-T1_GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SQJ910AEP-T1_GE3, SQJ910AEP-T1_GE3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 171.48 KB)
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  • SQJ910AEP-T1_GE3 Distributor

SQJ910AEP-T1_GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)30A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs7mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs39nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1869pF @ 15V
전력-최대48W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8 Dual

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.1A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32.8mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1180pF @ 25V

전력-최대

3.57W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

20-SO

SIA914DJ-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 10V

전력-최대

6.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

SI4542DY

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

830pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 12V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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