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STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB

참조 용

부품 번호 STGWT60H65DFB
PNEDA 부품 번호 STGWT60H65DFB
설명 IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
제조업체 STMicroelectronics
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STGWT60H65DFB 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGWT60H65DFB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGWT60H65DFB, STGWT60H65DFB 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 1,574.09 KB)
PDFSTGW60H65DFB 데이터 시트 표지
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STGWT60H65DFB 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A
전력-최대375W
에너지 전환1.09mJ (on), 626µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지306nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C51ns/160ns
테스트 조건400V, 60A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

전력-최대

452W

에너지 전환

2.7mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

250nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/138ns

테스트 조건

400V, 75A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG7PH30K10DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

27A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 9A

전력-최대

180W

에너지 전환

530µJ (on), 380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

45nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/110ns

테스트 조건

600V, 9A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IRGIB6B60KD116P

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

22A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

110µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/215ns

테스트 조건

400V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

RGW80TS65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 40A

전력-최대

214W

에너지 전환

760µJ (on), 720µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/143ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

3.2A

전류-수집기 펄스 (Icm)

3.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 1A

전력-최대

28W

에너지 전환

140µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

8.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/370ns

테스트 조건

800V, 1A, 241Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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