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메모리 IC

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부품 번호
설명
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MR25H10MDCR
MR25H10MDCR

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6)
재고 있음5,940
MR25H10MDF
MR25H10MDF

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
재고 있음22,668
MR25H10MDFR
MR25H10MDFR

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
재고 있음8,694
MR25H256ACDF
MR25H256ACDF

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음34,620
MR25H256AMDF
MR25H256AMDF

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음21,882
MR25H256CDC
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IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음180
MR25H256CDCR
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IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음3,474
MR25H256CDF
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IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음10,813
MR25H256CDFR
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IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음3,348
MR25H256MDC
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IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음9,564
MR25H256MDCR
MR25H256MDCR

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음8,640
MR25H256MDF
MR25H256MDF

Everspin Technologies Inc.

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IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음5,094
MR25H256MDFR
MR25H256MDFR

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음7,542
MR25H40CDC
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Everspin Technologies Inc.

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IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6)
재고 있음1,110
MR25H40CDCR
MR25H40CDCR

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6)
재고 있음3,996
MR25H40CDF
MR25H40CDF

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
재고 있음979
MR25H40CDFR
MR25H40CDFR

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
재고 있음5,040
MR25H40MDF
MR25H40MDF

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
재고 있음1,496
MR25H40MDFR
MR25H40MDFR

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
재고 있음7,794
MR2A08ACMA35
MR2A08ACMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)
재고 있음20,004
MR2A08ACMA35R
MR2A08ACMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)
재고 있음8,514
MR2A08ACYS35
MR2A08ACYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2
재고 있음16,896
MR2A08ACYS35R
MR2A08ACYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2
재고 있음3,726
MR2A08AMA35
MR2A08AMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)
재고 있음8,154
MR2A08AMA35R
MR2A08AMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)
재고 있음3,276
MR2A08AMYS35
MR2A08AMYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2
재고 있음8,640
MR2A08AMYS35R
MR2A08AMYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2
재고 있음6,480
MR2A08AYS35
MR2A08AYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2
재고 있음8,280
MR2A08AYS35R
MR2A08AYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2
재고 있음8,478
MR2A16ACMA35
MR2A16ACMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Everspin Technologies Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)
재고 있음1,160