메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MR2A16ACMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음3,564
MR2A16ACYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음9,024
MR2A16ACYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음8,892
MR2A16AMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음7,974
MR2A16AMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음2,178
MR2A16AMYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음4,644
MR2A16AMYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음3,924
MR2A16ATS35C NXP	기억 IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,688
MR2A16ATS35CR NXP	기억 IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음8,082
MR2A16AVMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음14,268
MR2A16AVMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음4,104
MR2A16AVYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음1,024
MR2A16AVYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음5,202
MR2A16AYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음82
MR2A16AYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음4,824
MR44V064AMAZAAB Rohm Semiconductor	기억 IC FRAM 64K I2C 3.4MHZ 8SOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: I²C 시계 주파수: 3.4MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 130ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,464
MR44V064BMAZAATL Rohm Semiconductor	기억 FERAM / 64KBIT (8KB X 8) / I2C / 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: I²C 시계 주파수: 3.4MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 130ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2
MR44V100AMAZAATL Rohm Semiconductor	기억 FERAM / 1MBIT (128KB X 8) / I2C 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: I²C 시계 주파수: 3.4MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 130ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,196
MR45V032AMAZBATL Rohm Semiconductor	기억 IC FRAM 32K SPI 15MHZ 8SOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 32Kb (4K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 15MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,716
MR45V064BMAZAATL Rohm Semiconductor	기억 FERAM / 64KBIT (8KB X 8) / SPI / 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,100
MR45V100AMAZAATL Rohm Semiconductor	기억 FERAM / 1MBIT (128KB X 8) / SPI 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,714
MR45V200BRAZAARL Rohm Semiconductor	기억 FERAM / 2MBIT (256KB X 8) / SPI 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 34MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음13,440
MR45V256AMAZAAT-L Rohm Semiconductor	기억 IC FRAM 256K SPI 15MHZ 8SOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 15MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음20,628
MR48V256ATAZBARL Rohm Semiconductor	기억 IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP I	재고 있음29,070
MR4A08BCMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)	재고 있음6,606
MR4A08BCMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)	재고 있음7,254
MR4A08BCYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음14,616
MR4A08BCYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음4,842
MR4A08BMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)	재고 있음8,712
MR4A08BMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)	재고 있음8,568

MR2A16ACMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음3,564

MR2A16ACYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음9,024

MR2A16ACYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음8,892

MR2A16AMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음7,974

MR2A16AMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음2,178

MR2A16AMYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음4,644

MR2A16AMYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음3,924

MR2A16ATS35C

NXP

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,688

MR2A16ATS35CR

NXP

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음8,082

MR2A16AVMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음14,268

MR2A16AVMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음4,104

MR2A16AVYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음1,024

MR2A16AVYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음5,202

MR2A16AYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음82

MR2A16AYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음4,824

MR44V064AMAZAAB

Rohm Semiconductor

기억

IC FRAM 64K I2C 3.4MHZ 8SOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: I²C
시계 주파수: 3.4MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 130ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,464

MR44V064BMAZAATL

Rohm Semiconductor

기억

FERAM / 64KBIT (8KB X 8) / I2C /

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: I²C
시계 주파수: 3.4MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 130ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2

MR44V100AMAZAATL

Rohm Semiconductor

기억

FERAM / 1MBIT (128KB X 8) / I2C

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: I²C
시계 주파수: 3.4MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 130ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,196

MR45V032AMAZBATL

Rohm Semiconductor

기억

IC FRAM 32K SPI 15MHZ 8SOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 32Kb (4K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 15MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,716

MR45V064BMAZAATL

Rohm Semiconductor

기억

FERAM / 64KBIT (8KB X 8) / SPI /

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,100

MR45V100AMAZAATL

Rohm Semiconductor

기억

FERAM / 1MBIT (128KB X 8) / SPI

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,714

MR45V200BRAZAARL

Rohm Semiconductor

기억

FERAM / 2MBIT (256KB X 8) / SPI

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 34MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음13,440

MR45V256AMAZAAT-L

Rohm Semiconductor

기억

IC FRAM 256K SPI 15MHZ 8SOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 15MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음20,628

MR48V256ATAZBARL

Rohm Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP I

재고 있음29,070

MR4A08BCMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)

재고 있음6,606

MR4A08BCMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)

재고 있음7,254

MR4A08BCYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음14,616

MR4A08BCYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음4,842

MR4A08BMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)

재고 있음8,712

MR4A08BMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)

재고 있음8,568

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