메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MR4A08BYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음7,584
MR4A08BYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음5,166
MR4A16BCMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음2,112
MR4A16BCMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)	재고 있음7,956
MR4A16BCYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP2	재고 있음1,167
MR4A16BCYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP2	재고 있음12,078
MR4A16BMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)	재고 있음26,628
MR4A16BMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)	재고 있음8,010
MR4A16BYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP2	재고 있음3,902
MR4A16BYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP2	재고 있음7,254
MSM5117400F-60J3-7 Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (4M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,570
MSM5117400F-60J3FAR1 Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (4M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,904
MSM5117400F-60T3DR1 Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (4M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,898
MSM5117400F-60T3-K-7 Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL KBU 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (4M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 26-SMD 공급자 장치 패키지: KBU	재고 있음4,824
MSM5117400F-60TDR1L Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (4M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,914
MSM5117405F-60J3-7 Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (4M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,232
MSM5117405F-60T-DKX Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (4M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음29,616
MSM5118160F-60J3-7 Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,968
MSM5118160F-60T3K-MT Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,732
MSM5118165F-60J3-7 Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 42-SOJ	재고 있음3,508
MSM5118165F-60T3K-MT Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 30ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 50-TSOP II	재고 있음17,760
MSM51V17400F-60TDKX Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (4M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 30ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 26-TSOP	재고 있음19,614
MSM51V17405F-60T3-K Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (4M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 104ns 접근 시간: 30ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 26-TSOP	재고 있음13,434
MSM51V18160F-60T3-K7 Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 30ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음15,504
MSM51V18165F-60J3-7 Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 104ns 접근 시간: 30ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 42-SOJ	재고 있음3,544
MSM51V18165F-60T3 Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 104ns 접근 시간: 30ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads 공급자 장치 패키지: 50-TSOP	재고 있음3,996
MSM5412222B-25TK-MTL Rohm Semiconductor	기억 IC FRAM 3M PARALLEL 44TSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 3Mb (256K x 12) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 23ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP	재고 있음5,220
MSM56V16160K8T3K Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 16Mb (512K x 16 x 2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 50-TSOP II	재고 있음8,004
MSP14LV160-E1-GJ-001 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY FLASH NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,562
MSP14LV160-E1-GK-001 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY FLASH NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,600

MR4A08BYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음7,584

MR4A08BYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음5,166

MR4A16BCMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음2,112

MR4A16BCMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)

재고 있음7,956

MR4A16BCYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP2

재고 있음1,167

MR4A16BCYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP2

재고 있음12,078

MR4A16BMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)

재고 있음26,628

MR4A16BMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (10x10)

재고 있음8,010

MR4A16BYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP2

재고 있음3,902

MR4A16BYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP2

재고 있음7,254

MSM5117400F-60J3-7

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (4M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,570

MSM5117400F-60J3FAR1

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (4M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,904

MSM5117400F-60T3DR1

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (4M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,898

MSM5117400F-60T3-K-7

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL KBU

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (4M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 26-SMD
공급자 장치 패키지: KBU

재고 있음4,824

MSM5117400F-60TDR1L

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (4M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,914

MSM5117405F-60J3-7

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (4M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,232

MSM5117405F-60T-DKX

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (4M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음29,616

MSM5118160F-60J3-7

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,968

MSM5118160F-60T3K-MT

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,732

MSM5118165F-60J3-7

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 42-SOJ

재고 있음3,508

MSM5118165F-60T3K-MT

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 30ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 50-TSOP II

재고 있음17,760

MSM51V17400F-60TDKX

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (4M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 30ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 26-TSOP

재고 있음19,614

MSM51V17405F-60T3-K

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (4M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 104ns
접근 시간: 30ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 26-TSOP

재고 있음13,434

MSM51V18160F-60T3-K7

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 30ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음15,504

MSM51V18165F-60J3-7

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 104ns
접근 시간: 30ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 42-SOJ

재고 있음3,544

MSM51V18165F-60T3

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 104ns
접근 시간: 30ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
공급자 장치 패키지: 50-TSOP

재고 있음3,996

MSM5412222B-25TK-MTL

Rohm Semiconductor

기억

IC FRAM 3M PARALLEL 44TSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 3Mb (256K x 12)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 23ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP

재고 있음5,220

MSM56V16160K8T3K

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 16Mb (512K x 16 x 2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 50-TSOP II

재고 있음8,004

MSP14LV160-E1-GJ-001

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY FLASH NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,562

MSP14LV160-E1-GK-001

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY FLASH NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,600

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