메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT47H256M4BT-37E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 92-VFBGA 공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)	재고 있음4,824
MT47H256M4BT-3:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 92-VFBGA 공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)	재고 있음4,428
MT47H256M4BT-5E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 92-VFBGA 공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)	재고 있음4,950
MT47H256M4CF-25E:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음3,472
MT47H256M4CF-25E:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음8,514
MT47H256M4CF-25:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음2,502
MT47H256M4CF-3:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음2,214
MT47H256M4CF-3:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음4,986
MT47H256M4CF-3 IT:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음5,202
MT47H256M4HQ-187E:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 350ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-FBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x11.5)	재고 있음3,508
MT47H256M4HQ-3:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-FBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x11.5)	재고 있음5,544
MT47H256M4HQ-5E:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-FBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x11.5)	재고 있음2,538
MT47H256M4SH-25E:M Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음8,082
MT47H256M4SH-25E:M TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음8,982
MT47H256M8EB-187E:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 350ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음7,416
MT47H256M8EB-187E:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 350ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음7,704
MT47H256M8EB-25E AIT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음7,848
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음12,270
MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음11,349
MT47H256M8EB-25E:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음6,930
MT47H256M8EB-25E IT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음14,514
MT47H256M8EB-25E IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음19,020
MT47H256M8EB-25E XIT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음8,964
MT47H256M8EB-25E XIT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음4,230
MT47H256M8EB-3:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음1,427
MT47H256M8EB-3:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)	재고 있음5,436
MT47H256M8THN-25E:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-TFBGA 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)	재고 있음18,570
MT47H256M8THN-25E:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-TFBGA 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)	재고 있음6,408
MT47H256M8THN-25E IT:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-TFBGA 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)	재고 있음4,626
MT47H256M8THN-25E:M Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-TFBGA 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)	재고 있음6,570

MT47H256M4BT-37E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 267MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 92-VFBGA
공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)

재고 있음4,824

MT47H256M4BT-3:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 92-VFBGA
공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)

재고 있음4,428

MT47H256M4BT-5E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 600ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 92-VFBGA
공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)

재고 있음4,950

MT47H256M4CF-25E:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음3,472

MT47H256M4CF-25E:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음8,514

MT47H256M4CF-25:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음2,502

MT47H256M4CF-3:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음2,214

MT47H256M4CF-3:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음4,986

MT47H256M4CF-3 IT:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음5,202

MT47H256M4HQ-187E:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 350ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-FBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x11.5)

재고 있음3,508

MT47H256M4HQ-3:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-FBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x11.5)

재고 있음5,544

MT47H256M4HQ-5E:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 600ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-FBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x11.5)

재고 있음2,538

MT47H256M4SH-25E:M

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음8,082

MT47H256M4SH-25E:M TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음8,982

MT47H256M8EB-187E:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 350ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음7,416

MT47H256M8EB-187E:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 350ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음7,704

MT47H256M8EB-25E AIT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음7,848

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음12,270

MT47H256M8EB-25E:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음11,349

MT47H256M8EB-25E:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음6,930

MT47H256M8EB-25E IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음14,514

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음19,020

MT47H256M8EB-25E XIT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음8,964

MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음4,230

MT47H256M8EB-3:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음1,427

MT47H256M8EB-3:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (9x11.5)

재고 있음5,436

MT47H256M8THN-25E:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-TFBGA
공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)

재고 있음18,570

MT47H256M8THN-25E:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-TFBGA
공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)

재고 있음6,408

MT47H256M8THN-25E IT:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-TFBGA
공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)

재고 있음4,626

MT47H256M8THN-25E:M

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-TFBGA
공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)

재고 있음6,570

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message